• ប៊ីប៊ី

100% Original Cost Effective Film Capacitor - ការរចនា capacitor snubber film បច្ចុប្បន្នខ្ពស់បំផុតសម្រាប់កម្មវិធីអេឡិចត្រូនិចថាមពល IGBT - CRE

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖


ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ស្លាកផលិតផល

វីដេអូពាក់ព័ន្ធ

មតិយោបល់ (2)

ឥឡូវនេះយើងមានសមាជិកបុគ្គលិកដ៏អស្ចារ្យជាច្រើន អតិថិជនដែលមានឧត្តមភាពក្នុងការផ្សាយពាណិជ្ជកម្ម QC និងធ្វើការជាមួយបញ្ហាជាច្រើននៅក្នុងប្រព័ន្ធជំនាន់សម្រាប់ឧបករណ៍បំប្លែងជីពចរ , ការបាត់បង់សមត្ថភាពទាប Fim Capacitor , Induction Capacitor សម្រាប់រលាយ Capacitor, សូមស្វាគមន៍មិត្តភ័ក្តិនិងពាណិជ្ជករនៅក្រៅប្រទេសទាំងអស់ដើម្បីបង្កើតកិច្ចសហប្រតិបត្តិការជាមួយយើង។យើងនឹងផ្តល់ឱ្យអ្នកនូវសេវាកម្មប្រកបដោយភាពស្មោះត្រង់ គុណភាពខ្ពស់ និងប្រសិទ្ធភាព ដើម្បីបំពេញតាមតម្រូវការរបស់អ្នក។
100% Original Cost Effective Film Capacitor - ការរចនា capacitor snubber film បច្ចុប្បន្នខ្ពស់បំផុតសម្រាប់កម្មវិធីអេឡិចត្រូនិចថាមពល IGBT - CRE Detail:

ទិន្នន័យ​បច្ចេកទេស

ជួរសីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការអតិបរមា, កំពូល, អតិបរមា: +105 ℃

សីតុណ្ហភាពប្រភេទខាងលើ៖ +85 ℃

សីតុណ្ហភាពប្រភេទទាប៖ -៤០ អង្សាសេ

ជួរ capacitance 0.1μF~5.6μF
វ៉ុលដែលបានវាយតម្លៃ 700V.DC ~ 3000V.DC
Cap.tol ± 5% (J); ± 10% (K)
ទប់ទល់នឹងវ៉ុល 1.5Un DC/10S
កត្តារលាយ tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz

ភាពធន់នឹងអ៊ីសូឡង់

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (នៅ 20 ℃ 100V.DC 60S)

C>0.33μF RS*C≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S)

ទប់ទល់នឹងការធ្វើកូដកម្មបច្ចុប្បន្ន

សូមមើលតារាងទិន្នន័យ

ការទប់ស្កាត់អណ្តាតភ្លើង

UL94V-0

អាយុកាល

100000h(Un; Θhotspot≤85°C)

ស្តង់ដារយោង

IEC61071;GB/T17702;

តារាងបញ្ជាក់

វ៉ុល Un 700V.DC,Urms400Vac; Us1050V
វិមាត្រ (មម)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms @40℃ @100KHz (A)
០.៤៧ ៤២.៥ ២៤.៥ ២៧.៥ 12 25 ៥០០ ២៣៥ 8
០.៦៨ ៤២.៥ ២៤.៥ ២៧.៥ 10 25 ៤៨០ ៣២៦.៤ 10
1 ៤២.៥ ២៤.៥ ២៧.៥ 8 24 ៤៥០ ៤៥០ 12
១.៥ ៤២.៥ ៣៣.៥ ៣៥.៥ 7 25 ៤៣០ ៦៤៥ 5
2 ៤២.៥ 33 ៣៥.៥ 6 24 ៤២០ ៨៤០ 15
២.៥ ៤២.៥ 33 45 6 23 ៤០០ ១០០០ 18
3 ៤២.៥ 33 45 ៥.៥ 22 ៣៨០ ១១៤០ 20
3 ៥៧.៥ 30 45 5 26 ៣៥០ ១០៥០ 22
៣.៥ ៤២.៥ 33 45 5 23 ៣៥០ ១២២៥ 25
៣.៥ ៥៧.៥ 30 45 6 25 ៣០០ ១០៥០ 22
៤.៧ ៥៧.៥ 35 50 5 28 ២៨០ ១៣១៦ 25
៥.៦ ៥៧.៥ 38 54 4 30 ២៥០ ១៤០០ 25
6 ៥៧.៥ 38 54 ៣.៥ 33 ២៣០ ១៣៨០ 28
៦.៨ ៥៧.៥ ៤២.៥ 56 ៣.២ 32 ២២០ ១៤៩៦ 32
8 ៥៧.៥ ៤២.៥ 56 ២.៨ 30 ២០០ ១៦០០ 33
វ៉ុល Un 1000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
វិមាត្រ (មម)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
០.៤៧ ៤២.៥ ២៤.៥ ២៧.៥ 11 25 ១០០០ ៤៧០ 10
០.៦៨ ៤២.៥ ២៤.៥ ២៧.៥ 8 25 ៨០០ ៥៤៤ 12
1 ៤២.៥ ៣៣.៥ ៣៥.៥ 6 24 ៨០០ ៨០០ 15
១.៥ ៤២.៥ 33 45 6 24 ៧០០ ១០៥០ 15
2 ៤២.៥ 33 45 5 22 ៧០០ ១៤០០ 20
២.៥ ៥៧.៥ 30 45 5 30 ៦០០ ១៥០០ 22
3 ៥៧.៥ 35 50 4 30 ៦០០ 1800 25
៣.៣ ៥៧.៥ 35 50 ៣.៥ 28 ៥៥០ ១៨១៥ 25
៣.៥ ៥៧.៥ 38 54 ៣.៥ 28 ៥០០ ១៧៥០ 25
4 ៥៧.៥ 38 54 ៣.២ 26 ៥០០ 2000 28
៤.៧ ៥៧.៥ ៤២.៥ 56 3 25 ៤២០ ១៩៧៤ 30
៥.៦ ៥៧.៥ ៤២.៥ 56 ២.៨ 24 ៤០០ ២២៤០ 32
វ៉ុល Un 1200V.DC, Urms550Vac; Us1800V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
០.៤៧ ៤២.៥ ២៤.៥ ២៧.៥ 11 24 ១២០០ ៥៦៤ 10
០.៦៨ ៤២.៥ ៣៣.៥ ៣៥.៥ 7 23 ១១០០ ៧៤៨ 12
1 ៤២.៥ ៣៣.៥ ៣៥.៥ 6 22 ៨០០ ៨០០ 14
១.៥ ៤២.៥ 33 45 5 20 ៨០០ ១២០០ 15
2 ៥៧.៥ 30 45 4 30 ៧៥០ ១៥០០ 20
២.៥ ៥៧.៥ 35 50 4 28 ៧០០ ១៧៥០ 25
3 ៥៧.៥ 35 50 4 27 ៦០០ 1800 25
៣.៣ ៥៧.៥ 38 54 4 27 ៥៥០ ១៨១៥ 28
៣.៥ ៥៧.៥ 38 54 ៣.៥ 25 ៥០០ ១៧៥០ 28
4 ៥៧.៥ ៤២.៥ 56 ៣.៥ 25 ៤៥០ 1800 30
៤.៧ ៥៧.៥ ៤២.៥ 56 ៣.២ 23 ៤២០ ១៩៧៤ 32
វ៉ុល Un 1700V.DC,Urms575Vac; Us2250V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.33 ៤២.៥ ២៤.៥ ២៧.៥ 12 25 ១៣០០ ៤២៩ 9
០.៤៧ ៤២.៥ ២៤.៥ ២៧.៥ 10 24 ១៣០០ ៦១១ 10
០.៦៨ ៤២.៥ ៣៣.៥ ៣៥.៥ 8 23 ១៣០០ ៨៨៤ 12
1 ៤២.៥ 33 45 7 22 ១២០០ ១២០០ 15
១.៥ ៤២.៥ 33 45 6 22 ១២០០ 1800 18
១.៥ ៥៧.៥ 30 45 5 31 ១២០០ 1800 20
2 ៥៧.៥ 30 45 5 30 ១១០០ ២២០០ 22
២.៥ ៥៧.៥ 35 50 4 28 ១១០០ ២៧៥០ 25
3 ៥៧.៥ 38 54 4 27 ៧០០ ២១០០ 25
៣.៣ ៥៧.៥ 38 54 ៣.៨ 26 ៦០០ ឆ្នាំ 1980 28
៣.៥ ៥៧.៥ ៤២.៥ 56 ៣.៥ 25 ៥០០ ១៧៥០ 30
4 ៥៧.៥ ៤២.៥ 56 ៣.២ 25 ៤៥០ 1800 32
វ៉ុល Un 2000V.DC, Urms700Vac; Us3000V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.22 ៤២.៥ ២៤.៥ ២៧.៥ 15 25 ១៥០០ ៣៣០ 10
0.33 ៤២.៥ ៣៣.៥ ៣៥.៥ 12 24 ១៥០០ ៤៩៥ 12
០.៤៧ ៤២.៥ ៣៣.៥ ៣៥.៥ 11 23 ១៤០០ ៦៥៨ 15
០.៦៨ ៤២.៥ 33 45 8 22 ១២០០ ៨១៦ 18
០.៦៨ ៥៧.៥ 30 45 7 30 ១១០០ ៧៤៨ 20
០.៨២ ៤២.៥ 33 45 7 28 ១២០០ ៩៨៤ 22
1 ៥៧.៥ 30 45 6 28 ១១០០ ១១០០ 25
១.៥ ៥៧.៥ 35 50 5 25 ១០០០ ១៥០០ 28
2 ៥៧.៥ 38 54 5 24 ៨០០ ១៦០០ 28
២.២ ៥៧.៥ ៤២.៥ 56 4 23 ៧០០ ១៥៤០ 32
វ៉ុល Un 3000V.DC,Urms750Vac; Us4500V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.15 ៤២.៥ 33 45 18 28 ២៥០០ ៣៧៥ 25
0.22 ៤២.៥ 33 45 15 27 ២២០០ ៤៨៤ 28
0.22 ៥៧.៥ 35 50 15 25 2000 ៣៣០ 20
0.33 ៥៧.៥ 35 50 12 24 1800 ៤៩៥ 20
០.៤៧ ៥៧.៥ 38 54 11 23 ១៦០០ ៧៥២ 22
០.៦៨ ៥៧.៥ ៤២.៥ 56 8 22 ១៥០០ ១០២០ 28

រូបភាពលម្អិតផលិតផល៖

100% Original Cost Effective Film Capacitor - ការរចនា capacitor snubber film បច្ចុប្បន្នខ្ពស់បំផុតសម្រាប់កម្មវិធីអេឡិចត្រូនិចថាមពល IGBT - រូបភាពលម្អិត CRE

100% Original Cost Effective Film Capacitor - ការរចនា capacitor snubber film បច្ចុប្បន្នខ្ពស់បំផុតសម្រាប់កម្មវិធីអេឡិចត្រូនិចថាមពល IGBT - រូបភាពលម្អិត CRE

100% Original Cost Effective Film Capacitor - ការរចនា capacitor snubber film បច្ចុប្បន្នខ្ពស់បំផុតសម្រាប់កម្មវិធីអេឡិចត្រូនិចថាមពល IGBT - រូបភាពលម្អិត CRE


ការណែនាំអំពីផលិតផលដែលពាក់ព័ន្ធ៖

អ្វីទាំងអស់ដែលយើងធ្វើគឺតែងតែភ្ជាប់ជាមួយនឹងគោលការណ៍របស់យើង " អតិថិជនដំបូង ជឿទុកចិត្តជាមុន លះបង់លើការវេចខ្ចប់អាហារ និងការការពារបរិស្ថានសម្រាប់តម្លៃដើម 100% ប្រសិទ្ធភាពនៃកាប៉ាស៊ីទ័រភាពយន្ត - ឧបករណ៍បំប្លែងខ្សែភាពយន្ដ snubber កម្រិតខ្ពស់នាពេលបច្ចុប្បន្នសម្រាប់កម្មវិធីអេឡិចត្រូនិចថាមពល IGBT - CRE , ផលិតផល will supply to all over the world, such as: Brisbane, Porto, Turkey, ការ​ផ្តល់​នូវ​ផលិតផល​ដែល​មាន​គុណភាព, សេវា​ដ៏​ល្អ, តម្លៃ​ប្រកួត​ប្រជែង​និង​ការ​ដឹក​ជញ្ជូន​រហ័ស​ផលិតផល​របស់​យើង​គឺ​លក់​បាន​យ៉ាង​ល្អ​ទាំង​នៅ​ក្នុង​ទីផ្សារ​ក្នុង​ស្រុក​និង​បរទេស​ក្រុមហ៊ុន​របស់​យើង​គឺ​ជា​ការ​មួយ​ដ៏​សំខាន់ អ្នកផ្គត់ផ្គង់នៅក្នុងប្រទេសចិន។
  • ក្នុងនាមជាក្រុមហ៊ុនពាណិជ្ជកម្មអន្តរជាតិ យើងមានដៃគូជាច្រើន ប៉ុន្តែអំពីក្រុមហ៊ុនរបស់អ្នក ខ្ញុំគ្រាន់តែចង់និយាយថា អ្នកពិតជាល្អ ជួរធំទូលាយ គុណភាពល្អ តម្លៃសមរម្យ សេវាកម្មប្រកបដោយភាពកក់ក្តៅ និងគិតគូរ បច្ចេកវិទ្យាទំនើប និងឧបករណ៍ ហើយកម្មករមានការបណ្តុះបណ្តាលវិជ្ជាជីវៈ។ មតិកែលម្អ និងការធ្វើបច្ចុប្បន្នភាពផលិតផលគឺទាន់ពេលវេលា សរុបមក នេះគឺជាកិច្ចសហប្រតិបត្តិការដ៏រីករាយ ហើយយើងទន្ទឹងរង់ចាំកិច្ចសហប្រតិបត្តិការបន្ទាប់! ផ្កាយ 5 ដោយ Melissa ពីអ៊ីរ៉ាក់ - 2018.02.08 16:45
    ប្រសិទ្ធភាពផលិតកម្មខ្ពស់ និងគុណភាពផលិតផលល្អ ការដឹកជញ្ជូនលឿន និងបានបញ្ចប់ការការពារបន្ទាប់ពីការលក់ ជម្រើសត្រឹមត្រូវ ជាជម្រើសដ៏ល្អបំផុត។ ផ្កាយ 5 ដោយ Ricardo ពី Johor - 2018.12.14 15:26

    ផ្ញើសាររបស់អ្នកមកយើង៖

    សរសេរសាររបស់អ្នកនៅទីនេះ ហើយផ្ញើវាមកយើង

    ផ្ញើសាររបស់អ្នកមកយើង៖