• ប៊ីប៊ី

តម្លៃថោកបំផុត កាប៉ាស៊ីទ័រហ្វីល ដែលប្រើសម្រាប់ការថតរូបភាពវេជ្ជសាស្ត្រ - ការរចនាឧបករណ៍បំពងសំឡេង snubber បច្ចុប្បន្នខ្ពស់បំផុតសម្រាប់កម្មវិធីអេឡិចត្រូនិចថាមពល IGBT - CRE

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖


ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ស្លាកផលិតផល

វីដេអូពាក់ព័ន្ធ

មតិយោបល់ (2)

ដោយត្រូវបានគាំទ្រដោយក្រុម IT កម្រិតខ្ពស់ និងឯកទេស យើងអាចផ្តល់ការគាំទ្រផ្នែកបច្ចេកទេសលើសេវាកម្មលក់មុន និងក្រោយការលក់សម្រាប់Capacitor ភាពយន្តតាមបំណង , Snubber Capacitor សម្រាប់ Igbt , ឧបករណ៍បំលែងថាមពលពន្លឺព្រះអាទិត្យ, ក្រុមការងារនៃក្រុមហ៊ុនរបស់យើងជាមួយនឹងការប្រើប្រាស់នៃបច្ចេកវិទ្យាទំនើបផ្តល់នូវផលិតផលដែលមានគុណភាពឥតខ្ចោះដែលគួរឱ្យស្រឡាញ់និងកោតសរសើរដោយអតិថិជនរបស់យើងនៅទូទាំងពិភពលោក។
តម្លៃថោកបំផុត កាប៉ាស៊ីទ័រហ្វីល ដែលប្រើសម្រាប់រូបភាពវេជ្ជសាស្ត្រ - ការរចនាឧបករណ៍បំពងសំឡេង snubber បច្ចុប្បន្នខ្ពស់បំផុតសម្រាប់កម្មវិធីអេឡិចត្រូនិចថាមពល IGBT - ព័ត៌មានលម្អិត CRE៖

ទិន្នន័យ​បច្ចេកទេស

ជួរសីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការអតិបរមា, កំពូល, អតិបរមា: +105 ℃

សីតុណ្ហភាពប្រភេទខាងលើ៖ +85 ℃

សីតុណ្ហភាពប្រភេទទាប៖ -៤០ អង្សាសេ

ជួរ capacitance 0.1μF~5.6μF
វ៉ុលដែលបានវាយតម្លៃ 700V.DC ~ 3000V.DC
Cap.tol ± 5% (J); ± 10% (K)
ទប់ទល់នឹងវ៉ុល 1.5Un DC/10S
កត្តារលាយ tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz

ភាពធន់នឹងអ៊ីសូឡង់

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (នៅ 20 ℃ 100V.DC 60S)

C>0.33μF RS*C≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S)

ទប់ទល់នឹងការធ្វើកូដកម្មបច្ចុប្បន្ន

សូមមើលតារាងទិន្នន័យ

ការទប់ស្កាត់អណ្តាតភ្លើង

UL94V-0

អាយុកាល

100000h(Un; Θhotspot≤85°C)

ស្តង់ដារយោង

IEC61071;GB/T17702;

តារាងបញ្ជាក់

វ៉ុល Un 700V.DC,Urms400Vac; Us1050V
វិមាត្រ (មម)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms @40℃ @100KHz (A)
០.៤៧ ៤២.៥ ២៤.៥ ២៧.៥ 12 25 ៥០០ ២៣៥ 8
០.៦៨ ៤២.៥ ២៤.៥ ២៧.៥ 10 25 ៤៨០ ៣២៦.៤ 10
1 ៤២.៥ ២៤.៥ ២៧.៥ 8 24 ៤៥០ ៤៥០ 12
១.៥ ៤២.៥ ៣៣.៥ ៣៥.៥ 7 25 ៤៣០ ៦៤៥ 5
2 ៤២.៥ 33 ៣៥.៥ 6 24 ៤២០ ៨៤០ 15
២.៥ ៤២.៥ 33 45 6 23 ៤០០ ១០០០ 18
3 ៤២.៥ 33 45 ៥.៥ 22 ៣៨០ ១១៤០ 20
3 ៥៧.៥ 30 45 5 26 ៣៥០ ១០៥០ 22
៣.៥ ៤២.៥ 33 45 5 23 ៣៥០ ១២២៥ 25
៣.៥ ៥៧.៥ 30 45 6 25 ៣០០ ១០៥០ 22
៤.៧ ៥៧.៥ 35 50 5 28 ២៨០ ១៣១៦ 25
៥.៦ ៥៧.៥ 38 54 4 30 ២៥០ ១៤០០ 25
6 ៥៧.៥ 38 54 ៣.៥ 33 ២៣០ ១៣៨០ 28
៦.៨ ៥៧.៥ ៤២.៥ 56 ៣.២ 32 ២២០ ១៤៩៦ 32
8 ៥៧.៥ ៤២.៥ 56 ២.៨ 30 ២០០ ១៦០០ 33
វ៉ុល Un 1000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
វិមាត្រ (មម)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
០.៤៧ ៤២.៥ ២៤.៥ ២៧.៥ 11 25 ១០០០ ៤៧០ 10
០.៦៨ ៤២.៥ ២៤.៥ ២៧.៥ 8 25 ៨០០ ៥៤៤ 12
1 ៤២.៥ ៣៣.៥ ៣៥.៥ 6 24 ៨០០ ៨០០ 15
១.៥ ៤២.៥ 33 45 6 24 ៧០០ ១០៥០ 15
2 ៤២.៥ 33 45 5 22 ៧០០ ១៤០០ 20
២.៥ ៥៧.៥ 30 45 5 30 ៦០០ ១៥០០ 22
3 ៥៧.៥ 35 50 4 30 ៦០០ 1800 25
៣.៣ ៥៧.៥ 35 50 ៣.៥ 28 ៥៥០ ១៨១៥ 25
៣.៥ ៥៧.៥ 38 54 ៣.៥ 28 ៥០០ ១៧៥០ 25
4 ៥៧.៥ 38 54 ៣.២ 26 ៥០០ 2000 28
៤.៧ ៥៧.៥ ៤២.៥ 56 3 25 ៤២០ ១៩៧៤ 30
៥.៦ ៥៧.៥ ៤២.៥ 56 ២.៨ 24 ៤០០ ២២៤០ 32
វ៉ុល Un 1200V.DC, Urms550Vac; Us1800V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
០.៤៧ ៤២.៥ ២៤.៥ ២៧.៥ 11 24 ១២០០ ៥៦៤ 10
០.៦៨ ៤២.៥ ៣៣.៥ ៣៥.៥ 7 23 ១១០០ ៧៤៨ 12
1 ៤២.៥ ៣៣.៥ ៣៥.៥ 6 22 ៨០០ ៨០០ 14
១.៥ ៤២.៥ 33 45 5 20 ៨០០ ១២០០ 15
2 ៥៧.៥ 30 45 4 30 ៧៥០ ១៥០០ 20
២.៥ ៥៧.៥ 35 50 4 28 ៧០០ ១៧៥០ 25
3 ៥៧.៥ 35 50 4 27 ៦០០ 1800 25
៣.៣ ៥៧.៥ 38 54 4 27 ៥៥០ ១៨១៥ 28
៣.៥ ៥៧.៥ 38 54 ៣.៥ 25 ៥០០ ១៧៥០ 28
4 ៥៧.៥ ៤២.៥ 56 ៣.៥ 25 ៤៥០ 1800 30
៤.៧ ៥៧.៥ ៤២.៥ 56 ៣.២ 23 ៤២០ ១៩៧៤ 32
វ៉ុល Un 1700V.DC,Urms575Vac; Us2250V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.33 ៤២.៥ ២៤.៥ ២៧.៥ 12 25 ១៣០០ ៤២៩ 9
០.៤៧ ៤២.៥ ២៤.៥ ២៧.៥ 10 24 ១៣០០ ៦១១ 10
០.៦៨ ៤២.៥ ៣៣.៥ ៣៥.៥ 8 23 ១៣០០ ៨៨៤ 12
1 ៤២.៥ 33 45 7 22 ១២០០ ១២០០ 15
១.៥ ៤២.៥ 33 45 6 22 ១២០០ 1800 18
១.៥ ៥៧.៥ 30 45 5 31 ១២០០ 1800 20
2 ៥៧.៥ 30 45 5 30 ១១០០ ២២០០ 22
២.៥ ៥៧.៥ 35 50 4 28 ១១០០ ២៧៥០ 25
3 ៥៧.៥ 38 54 4 27 ៧០០ ២១០០ 25
៣.៣ ៥៧.៥ 38 54 ៣.៨ 26 ៦០០ ឆ្នាំ 1980 28
៣.៥ ៥៧.៥ ៤២.៥ 56 ៣.៥ 25 ៥០០ ១៧៥០ 30
4 ៥៧.៥ ៤២.៥ 56 ៣.២ 25 ៤៥០ 1800 32
វ៉ុល Un 2000V.DC, Urms700Vac; Us3000V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.22 ៤២.៥ ២៤.៥ ២៧.៥ 15 25 ១៥០០ ៣៣០ 10
0.33 ៤២.៥ ៣៣.៥ ៣៥.៥ 12 24 ១៥០០ ៤៩៥ 12
០.៤៧ ៤២.៥ ៣៣.៥ ៣៥.៥ 11 23 ១៤០០ ៦៥៨ 15
០.៦៨ ៤២.៥ 33 45 8 22 ១២០០ ៨១៦ 18
០.៦៨ ៥៧.៥ 30 45 7 30 ១១០០ ៧៤៨ 20
០.៨២ ៤២.៥ 33 45 7 28 ១២០០ ៩៨៤ 22
1 ៥៧.៥ 30 45 6 28 ១១០០ ១១០០ 25
១.៥ ៥៧.៥ 35 50 5 25 ១០០០ ១៥០០ 28
2 ៥៧.៥ 38 54 5 24 ៨០០ ១៦០០ 28
២.២ ៥៧.៥ ៤២.៥ 56 4 23 ៧០០ ១៥៤០ 32
វ៉ុល Un 3000V.DC,Urms750Vac; Us4500V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.15 ៤២.៥ 33 45 18 28 ២៥០០ ៣៧៥ 25
0.22 ៤២.៥ 33 45 15 27 ២២០០ ៤៨៤ 28
0.22 ៥៧.៥ 35 50 15 25 2000 ៣៣០ 20
0.33 ៥៧.៥ 35 50 12 24 1800 ៤៩៥ 20
០.៤៧ ៥៧.៥ 38 54 11 23 ១៦០០ ៧៥២ 22
០.៦៨ ៥៧.៥ ៤២.៥ 56 8 22 ១៥០០ ១០២០ 28

រូបភាពលម្អិតផលិតផល៖

តម្លៃថោកបំផុត កាប៉ាស៊ីទ័រហ្វីល ដែលប្រើសម្រាប់រូបភាពវេជ្ជសាស្ត្រ - ការរចនាឧបករណ៍បំពងសំឡេង snubber បច្ចុប្បន្នខ្ពស់បំផុតសម្រាប់កម្មវិធីអេឡិចត្រូនិចថាមពល IGBT - រូបភាពលម្អិត CRE

តម្លៃថោកបំផុត កាប៉ាស៊ីទ័រហ្វីល ដែលប្រើសម្រាប់រូបភាពវេជ្ជសាស្ត្រ - ការរចនាឧបករណ៍បំពងសំឡេង snubber បច្ចុប្បន្នខ្ពស់បំផុតសម្រាប់កម្មវិធីអេឡិចត្រូនិចថាមពល IGBT - រូបភាពលម្អិត CRE

តម្លៃថោកបំផុត កាប៉ាស៊ីទ័រហ្វីល ដែលប្រើសម្រាប់រូបភាពវេជ្ជសាស្ត្រ - ការរចនាឧបករណ៍បំពងសំឡេង snubber បច្ចុប្បន្នខ្ពស់បំផុតសម្រាប់កម្មវិធីអេឡិចត្រូនិចថាមពល IGBT - រូបភាពលម្អិត CRE


ការណែនាំអំពីផលិតផលដែលពាក់ព័ន្ធ៖

តម្រង់ទិសអតិថិជនជានិច្ច ហើយវាជាគោលដៅចុងក្រោយរបស់យើងក្នុងការមិនត្រឹមតែជាអ្នកផ្គត់ផ្គង់ដែលអាចទុកចិត្តបាន គួរឱ្យទុកចិត្តបំផុត និងស្មោះត្រង់ប៉ុណ្ណោះទេ ប៉ុន្តែក៏ជាដៃគូសម្រាប់អតិថិជនរបស់យើងសម្រាប់តម្លៃថោកបំផុត Film Capacitor ដែលប្រើសម្រាប់រូបភាពវេជ្ជសាស្ត្រ - High peak current snubber film capacitors design for IGBT power កម្មវិធីអេឡិចត្រូនិច – CRE ផលិតផលនេះនឹងផ្គត់ផ្គង់ទៅកាន់ទូទាំងពិភពលោក ដូចជា៖ Rotterdam, Iran, Hamburg, យើងនឹងចាប់ផ្តើមដំណាក់កាលទីពីរនៃយុទ្ធសាស្ត្រអភិវឌ្ឍន៍របស់យើង។ក្រុមហ៊ុនរបស់យើងចាត់ទុក "តម្លៃសមរម្យ ពេលវេលាផលិតប្រកបដោយប្រសិទ្ធភាព និងសេវាកម្មបន្ទាប់ពីការលក់ដ៏ល្អ" ជាគោលការណ៍របស់យើង។ប្រសិនបើអ្នកចាប់អារម្មណ៍លើផលិតផល និងដំណោះស្រាយណាមួយរបស់យើង ឬចង់ពិភាក្សាអំពីការបញ្ជាទិញផ្ទាល់ខ្លួន សូមប្រាកដថាអ្នកមានអារម្មណ៍សេរីក្នុងការទាក់ទងមកយើង។យើងទន្ទឹងរង់ចាំបង្កើតទំនាក់ទំនងអាជីវកម្មប្រកបដោយជោគជ័យជាមួយអតិថិជនថ្មីជុំវិញពិភពលោកនាពេលខាងមុខ។
  • សង្ឃឹមថាក្រុមហ៊ុនអាចប្រកាន់ខ្ជាប់នូវស្មារតីសហគ្រាសនៃ "គុណភាព ប្រសិទ្ធភាព នវានុវត្តន៍ និងសុចរិតភាព" វានឹងកាន់តែប្រសើរ និងកាន់តែប្រសើរឡើងនាពេលអនាគត។ ផ្កាយ 5 ដោយ Ella ពី Uruguay - 2017.10.25 15:53
    ទោះបីជាយើងជាក្រុមហ៊ុនតូចក៏ដោយ ក៏យើងត្រូវបានគេគោរពផងដែរ។គុណភាពដែលអាចទុកចិត្តបាន សេវាកម្មស្មោះត្រង់ និងឥណទានល្អ យើងមានកិត្តិយសដែលអាចធ្វើការជាមួយអ្នក! ផ្កាយ 5 ដោយ Dana ពី Johannesburg - 2017.02.18 15:54

    ផ្ញើសាររបស់អ្នកមកយើង៖

    សរសេរសាររបស់អ្នកនៅទីនេះ ហើយផ្ញើវាមកយើង

    ផ្ញើសាររបស់អ្នកមកយើង៖