កាប៉ាស៊ីទ័រកំដៅអាំងឌុចស្យុងទាបតម្លៃថោកបំផុត - ការរចនាកាប៉ាស៊ីទ័រខ្សែភាពយន្ត snubber ចរន្តកំពូលខ្ពស់សម្រាប់កម្មវិធីអេឡិចត្រូនិចថាមពល IGBT - CRE

កាប៉ាស៊ីទ័រកំដៅអាំងឌុចស្យុងទាបតម្លៃថោកបំផុត - ការរចនាកាប៉ាស៊ីទ័រខ្សែភាពយន្ត snubber ចរន្តកំពូលខ្ពស់សម្រាប់កម្មវិធីអេឡិចត្រូនិចថាមពល IGBT - រូបភាពពិសេស CRE

ការពិពណ៌នាខ្លី៖

ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ស្លាកផលិតផល

វីដេអូពាក់ព័ន្ធ

មតិប្រតិកម្ម (2)

ការទទួលបានសេចក្តីពេញចិត្តពីអតិថិជនគឺជាគោលដៅគ្មានទីបញ្ចប់របស់ក្រុមហ៊ុនយើង។ យើងនឹងខិតខំប្រឹងប្រែងយ៉ាងល្អឥតខ្ចោះដើម្បីបង្កើតទំនិញថ្មីៗ និងមានគុណភាពខ្ពស់ បំពេញតម្រូវការពិសេសរបស់អ្នក និងផ្តល់ជូនអ្នកនូវក្រុមហ៊ុនមុនពេលលក់ ការលក់ក្នុងពេលលក់ និងក្រោយពេលលក់សម្រាប់...ថ្មប្រភេទ Ultracapacitor , ដំណោះស្រាយតម្រង Ac , កាប៉ាស៊ីទ័រសន្សំថាមពលយើងខ្ញុំទន្ទឹងរង់ចាំផ្គត់ផ្គង់ផលិតផលរបស់យើងខ្ញុំជូនលោកអ្នកនាពេលអនាគតដ៏ខ្លីខាងមុខនេះ ហើយអ្នកនឹងឃើញថាសម្រង់តម្លៃរបស់យើងខ្ញុំគឺសមរម្យណាស់ ហើយគុណភាពផលិតផលរបស់យើងខ្ញុំគឺល្អឥតខ្ចោះ!

កាប៉ាស៊ីទ័រកំដៅអាំងឌុចស្យុងទាបតម្លៃថោកបំផុត - ការរចនាកាប៉ាស៊ីទ័រខ្សែភាពយន្ត snubber ចរន្តកំពូលខ្ពស់សម្រាប់កម្មវិធីអេឡិចត្រូនិចថាមពល IGBT - ព័ត៌មានលម្អិត CRE៖

ទិន្នន័យបច្ចេកទេស

ជួរសីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ	សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការអតិបរមា, ខាងលើ, អតិបរមា: +105℃ សីតុណ្ហភាពប្រភេទខាងលើ៖ +៨៥℃ សីតុណ្ហភាពប្រភេទទាបជាង៖ -៤០℃
ជួរសមត្ថភាព	០.១μF ដល់ ៥.៦μF
វ៉ុលដែលបានវាយតម្លៃ	700វ៉ុល DC ~ 3000វ៉ុល DC
កាពីតូល	±5%(ជូល); ±10%(ខេ)
ទប់ទល់នឹងវ៉ុល	១.៥អ៊ុន ឌីស៊ី/១០អេស
កត្តារលាយ	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ភាពធន់នឹងអ៊ីសូឡង់	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (នៅ 20℃ 100V.DC 60S) C>0.33μF RS*C≥5000S (នៅ 20℃ 100V.DC 60S)
ទប់ទល់នឹងចរន្តឆក់	មើលសន្លឹកទិន្នន័យ
ការពន្យារអណ្តាតភ្លើង	UL94V-0
អាយុកាលរំពឹងទុក	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
ស្តង់ដារយោង	IEC61071; GB/T17702;

តារាងលក្ខណៈបច្ចេកទេស

វ៉ុល	អ៊ុន ៧០០វ៉ុល។ឌីស៊ី,អ៊ុម ៤០០វ៉ុល;អ៊ុន ១០៥០វ៉ុល
	វិមាត្រ (មម)
Cn(μF)	ល(±១)	ធ(±១)	H(±1)	ESR @ 100KHz (mΩ)	អ៊ីអេសអិល (nH)	dv/dt (V/μS)	អ៊ីបខេ (អេ)	Irms @40℃ @100KHz (A)
០,៤៧	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	12	25	៥០០	២៣៥	8
០,៦៨	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	10	25	៤៨០	៣២៦.៤	10
1	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	8	24	៤៥០	៤៥០	12
១.៥	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	7	25	៤៣០	៦៤៥	5
2	៤២.៥	33	៣៥.៥	6	24	៤២០	៨៤០	15
២.៥	៤២.៥	33	45	6	23	៤០០	១០០០	18
3	៤២.៥	33	45	៥.៥	22	៣៨០	១១៤០	20
3	៥៧.៥	30	45	5	26	៣៥០	១០៥០	22
៣.៥	៤២.៥	33	45	5	23	៣៥០	១២២៥	25
៣.៥	៥៧.៥	30	45	6	25	៣០០	១០៥០	22
៤.៧	៥៧.៥	35	50	5	28	២៨០	១៣១៦	25
៥.៦	៥៧.៥	38	54	4	30	២៥០	១៤០០	25
6	៥៧.៥	38	54	៣.៥	33	២៣០	១៣៨០	28
៦.៨	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.២	32	២២០	១៤៩៦	32
8	៥៧.៥	៤២.៥	56	២.៨	30	២០០	១៦០០	33
វ៉ុល	អ៊ុន 1000V។ ឌីស៊ី, អ៊ុម 500Vac; អ៊ុស 1500V
	វិមាត្រ (មម)
Cn(μF)	ល(±១)	ធ(±១)	H(±1)	ESR(mΩ)	អ៊ីអេសអិល (nH)	dv/dt(V/μS)	អ៊ីបខេ (អេ)	អ៊ីមស៍
០,៤៧	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	11	25	១០០០	៤៧០	10
០,៦៨	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	8	25	៨០០	៥៤៤	12
1	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	6	24	៨០០	៨០០	15
១.៥	៤២.៥	33	45	6	24	៧០០	១០៥០	15
2	៤២.៥	33	45	5	22	៧០០	១៤០០	20
២.៥	៥៧.៥	30	45	5	30	៦០០	១៥០០	22
3	៥៧.៥	35	50	4	30	៦០០	១៨០០	25
៣.៣	៥៧.៥	35	50	៣.៥	28	៥៥០	១៨១៥	25
៣.៥	៥៧.៥	38	54	៣.៥	28	៥០០	១៧៥០	25
4	៥៧.៥	38	54	៣.២	26	៥០០	ឆ្នាំ២០០០	28
៤.៧	៥៧.៥	៤២.៥	56	3	25	៤២០	ឆ្នាំ ១៩៧៤	30
៥.៦	៥៧.៥	៤២.៥	56	២.៨	24	៤០០	២២៤០	32
វ៉ុល	អ៊ុន 1200V។ឌីស៊ី,អ៊ុម 550Vac;អ៊ុស 1800V
Cn(μF)	ល(±១)	ធ(±១)	H(±1)	ESR(mΩ)	អ៊ីអេសអិល (nH)	dv/dt(V/μS)	អ៊ីបខេ (អេ)	អ៊ីមស៍
០,៤៧	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	11	24	១២០០	៥៦៤	10
០,៦៨	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	7	23	១១០០	៧៤៨	12
1	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	6	22	៨០០	៨០០	14
១.៥	៤២.៥	33	45	5	20	៨០០	១២០០	15
2	៥៧.៥	30	45	4	30	៧៥០	១៥០០	20
២.៥	៥៧.៥	35	50	4	28	៧០០	១៧៥០	25
3	៥៧.៥	35	50	4	27	៦០០	១៨០០	25
៣.៣	៥៧.៥	38	54	4	27	៥៥០	១៨១៥	28
៣.៥	៥៧.៥	38	54	៣.៥	25	៥០០	១៧៥០	28
4	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.៥	25	៤៥០	១៨០០	30
៤.៧	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.២	23	៤២០	ឆ្នាំ ១៩៧៤	32
វ៉ុល	អ៊ុន 1700V។ឌីស៊ី,អ៊ុម 575Vac;អ៊ុស 2250V
Cn(μF)	ល(±១)	ធ(±១)	H(±1)	ESR(mΩ)	អ៊ីអេសអិល (nH)	dv/dt(V/μS)	អ៊ីបខេ (អេ)	អ៊ីមស៍
០.៣៣	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	12	25	១៣០០	៤២៩	9
០,៤៧	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	10	24	១៣០០	៦១១	10
០,៦៨	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	8	23	១៣០០	៨៨៤	12
1	៤២.៥	33	45	7	22	១២០០	១២០០	15
១.៥	៤២.៥	33	45	6	22	១២០០	១៨០០	18
១.៥	៥៧.៥	30	45	5	31	១២០០	១៨០០	20
2	៥៧.៥	30	45	5	30	១១០០	២២០០	22
២.៥	៥៧.៥	35	50	4	28	១១០០	២៧៥០	25
3	៥៧.៥	38	54	4	27	៧០០	២១០០	25
៣.៣	៥៧.៥	38	54	៣.៨	26	៦០០	ឆ្នាំ ១៩៨០	28
៣.៥	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.៥	25	៥០០	១៧៥០	30
4	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.២	25	៤៥០	១៨០០	32
វ៉ុល	អ៊ុន 2000V។ឌីស៊ី,អ៊ុម 700Vac;អ៊ុស 3000V
Cn(μF)	ល(±១)	ធ(±១)	H(±1)	ESR(mΩ)	អ៊ីអេសអិល (nH)	dv/dt(V/μS)	អ៊ីបខេ (អេ)	អ៊ីមស៍
០.២២	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	15	25	១៥០០	៣៣០	10
០.៣៣	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	12	24	១៥០០	៤៩៥	12
០,៤៧	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	11	23	១៤០០	៦៥៨	15
០,៦៨	៤២.៥	33	45	8	22	១២០០	៨១៦	18
០,៦៨	៥៧.៥	30	45	7	30	១១០០	៧៤៨	20
០,៨២	៤២.៥	33	45	7	28	១២០០	៩៨៤	22
1	៥៧.៥	30	45	6	28	១១០០	១១០០	25
១.៥	៥៧.៥	35	50	5	25	១០០០	១៥០០	28
2	៥៧.៥	38	54	5	24	៨០០	១៦០០	28
២.២	៥៧.៥	៤២.៥	56	4	23	៧០០	១៥៤០	32
វ៉ុល	អ៊ុន 3000V។ឌីស៊ី,អ៊ុម 750Vac;អ៊ុស 4500V
Cn(μF)	ល(±១)	ធ(±១)	H(±1)	ESR(mΩ)	អ៊ីអេសអិល (nH)	dv/dt(V/μS)	អ៊ីបខេ (អេ)	អ៊ីមស៍
០.១៥	៤២.៥	33	45	18	28	២៥០០	៣៧៥	25
០.២២	៤២.៥	33	45	15	27	២២០០	៤៨៤	28
០.២២	៥៧.៥	35	50	15	25	ឆ្នាំ២០០០	៣៣០	20
០.៣៣	៥៧.៥	35	50	12	24	១៨០០	៤៩៥	20
០,៤៧	៥៧.៥	38	54	11	23	១៦០០	៧៥២	22
០,៦៨	៥៧.៥	៤២.៥	56	8	22	១៥០០	១០២០	28

រូបភាពលម្អិតផលិតផល៖

មគ្គុទ្ទេសក៍ផលិតផលពាក់ព័ន្ធ៖

យើងមិនត្រឹមតែនឹងព្យាយាមឱ្យអស់ពីសមត្ថភាពដើម្បីផ្តល់ជូនក្រុមហ៊ុនដ៏ល្អឥតខ្ចោះដល់អ្នកទិញស្ទើរតែទាំងអស់ប៉ុណ្ណោះទេ ប៉ុន្តែយើងក៏ត្រៀមខ្លួនរួចជាស្រេចដើម្បីទទួលបានការណែនាំណាមួយដែលផ្តល់ជូនដោយអ្នកទិញរបស់យើងសម្រាប់ឧបករណ៍បំលែងកំដៅអាំងឌុចស្យុងថាមពលទាបដែលមានតម្លៃថោកបំផុត - ឧបករណ៍បំលែងខ្សែភាពយន្ត snubber ចរន្តខ្ពស់កំពូលសម្រាប់កម្មវិធីអេឡិចត្រូនិចថាមពល IGBT - CRE ផលិតផលនេះនឹងផ្គត់ផ្គង់ដល់ទូទាំងពិភពលោក ដូចជា៖ ហ្គាតេម៉ាឡា អាមេនី ម៉ាសេដូន។ ដើម្បីប្រើប្រាស់ធនធានលើព័ត៌មានដែលកំពុងពង្រីកនៅក្នុងពាណិជ្ជកម្មអន្តរជាតិ យើងស្វាគមន៍អតិថិជនមកពីគ្រប់ទីកន្លែងនៅលើអ៊ីនធឺណិត និងក្រៅបណ្តាញ។ ទោះបីជាផលិតផលដែលមានគុណភាពខ្ពស់ដែលយើងផ្តល់ជូនក៏ដោយ សេវាកម្មពិគ្រោះយោបល់ដែលមានប្រសិទ្ធភាព និងពេញចិត្តត្រូវបានផ្តល់ជូនដោយក្រុមសេវាកម្មក្រោយពេលលក់ដែលមានសមត្ថភាពរបស់យើង។ បញ្ជីផលិតផល និងប៉ារ៉ាម៉ែត្រលម្អិត និងព័ត៌មានផ្សេងទៀតនឹងត្រូវបានផ្ញើទៅអ្នកទាន់ពេលវេលាសម្រាប់ការសាកសួរ។ ដូច្នេះសូមទាក់ទងមកយើងដោយផ្ញើអ៊ីមែលមកយើង ឬទូរស័ព្ទមកយើងនៅពេលដែលអ្នកមានសំណួរអំពីក្រុមហ៊ុនរបស់យើង។ អ្នកក៏អាចទទួលបានព័ត៌មានអាសយដ្ឋានរបស់យើងពីគេហទំព័ររបស់យើង ហើយមកកាន់ក្រុមហ៊ុនរបស់យើង។ យើងទទួលបានការស្ទង់មើលវាលនៃផលិតផលរបស់យើង។ យើងជឿជាក់ថាយើងនឹងចែករំលែកសមិទ្ធផលទៅវិញទៅមក និងបង្កើតទំនាក់ទំនងសហប្រតិបត្តិការដ៏រឹងមាំជាមួយដៃគូរបស់យើងនៅក្នុងទីផ្សារនេះ។ យើងទន្ទឹងរង់ចាំការសាកសួររបស់អ្នក។

ធនាគារកាប៉ាស៊ីទ័រដែលបានប្ដូរតាមបំណង

កាប៉ាស៊ីទ័រផ្ទុកថាមពល

កុងដង់ទ័រខ្សែភាពយន្តសម្រាប់អាំងវឺរទ័រថាមពល

កុងដង់ទ័រស្ថានីយបួនម្ជុល

ប្រដាប់ផ្ទុកសំឡេងអាម៉ូនិក

ស្នប់ប៊ើរ Igbt