គុណភាពខ្ពស់ Polypropylene Film Capacitor - Metalized film IGBT Snubber capacitor - CRE

គុណភាពល្អឥតខ្ចោះ Polypropylene Film Capacitor - Metalized film IGBT Snubber capacitor - CRE Featured Image

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ស្លាកផលិតផល

វីដេអូពាក់ព័ន្ធ

មតិយោបល់ (2)

យើងត្រូវបានគេជឿជាក់ថាជាមួយនឹងការខិតខំប្រឹងប្រែងរួមគ្នា សហគ្រាសរវាងពួកយើងនឹងនាំមកនូវផលប្រយោជន៍ទៅវិញទៅមក។យើងអាចធានាគុណភាពផលិតផល ឬសេវាកម្មជូនអ្នកបាន និងតម្លៃថ្លៃថ្នូរFilm Capacitor ត្រូវបានរចនាឡើងសម្រាប់ Pv Inverter , ប្រភេទស្ងួត តម្រង Ac , ឧបករណ៍បំប្លែង Dc Link សម្រាប់ម៉ាស៊ីនផ្សារស៊ីមេន, ផលិតផលទាំងអស់មកជាមួយគុណភាពល្អនិងសេវាកម្មបន្ទាប់ពីការលក់ល្អឥតខ្ចោះ។ទីផ្សារតម្រង់ទិស និងតម្រង់ទិសអតិថិជន គឺជាអ្វីដែលយើងកំពុងធ្វើ។ទន្ទឹងរង់ចាំដោយស្មោះចំពោះកិច្ចសហប្រតិបត្តិការ Win-Win !

គុណភាពខ្ពស់ Polypropylene Film Capacitor - Metalized film IGBT Snubber capacitor - CRE Detail:

ទិន្នន័យបច្ចេកទេស

ជួរសីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ	សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការអតិបរមា។, កំពូល, អតិបរមា: +105 ℃ សីតុណ្ហភាពប្រភេទខាងលើ: +85 ℃ សីតុណ្ហភាពប្រភេទទាប: -40 ℃
ជួរ capacitance	0.1μF～5.6μF
វ៉ុលដែលបានវាយតម្លៃ	700V.DC ~ 3000V.DC
Cap.tol	± 5%(J); ± 10%(K)
ទប់ទល់នឹងវ៉ុល	1.5Un DC/10S
កត្តារលាយ	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHztgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ភាពធន់នឹងអ៊ីសូឡង់	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (នៅ 20 ℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S)
ទប់ទល់នឹងការធ្វើកូដកម្មបច្ចុប្បន្ន	具体见规格表
ការទប់ស្កាត់អណ្តាតភ្លើង	UL94V-0
អាយុកាល	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
ស្តង់ដារយោង	IEC61071;GB/T17702;

វ៉ុល			Un 700V.DC,Urms400Vac; Us1050V
	វិមាត្រ (មម)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
០.៤៧	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	12	25	៥០០	២៣៥	8
០.៦៨	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	10	25	៤៨០	៣២៦.៤	10
1	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	8	24	៤៥០	៤៥០	12
១.៥	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	7	25	៤៣០	៦៤៥	5
2	៤២.៥	33	៣៥.៥	6	24	៤២០	៨៤០	15
២.៥	៤២.៥	33	45	6	23	៤០០	១០០០	18
3	៤២.៥	33	45	៥.៥	22	៣៨០	១១៤០	20
3	៥៧.៥	30	45	5	26	៣៥០	១០៥០	22
៣.៥	៤២.៥	33	45	5	23	៣៥០	១២២៥	25
៣.៥	៥៧.៥	30	45	6	25	៣០០	១០៥០	22
៤.៧	៥៧.៥	35	50	5	28	២៨០	១៣១៦	25
៥.៦	៥៧.៥	38	54	4	30	២៥០	១៤០០	25
6	៥៧.៥	38	54	៣.៥	33	២៣០	១៣៨០	28
៦.៨	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.២	32	២២០	១៤៩៦	32
8	៥៧.៥	៤២.៥	56	២.៨	30	២០០	១៦០០	33


វ៉ុល			Un 1000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
	វិមាត្រ (មម)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
០.៤៧	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	11	25	១០០០	៤៧០	10
០.៦៨	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	8	25	៨០០	៥៤៤	12
1	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	6	24	៨០០	៨០០	15
១.៥	៤២.៥	33	45	6	24	៧០០	១០៥០	15
2	៤២.៥	33	45	5	22	៧០០	១៤០០	20
២.៥	៥៧.៥	30	45	5	30	៦០០	១៥០០	22
3	៥៧.៥	35	50	4	30	៦០០	1800	25
៣.៣	៥៧.៥	35	50	៣.៥	28	៥៥០	១៨១៥	25
៣.៥	៥៧.៥	38	54	៣.៥	28	៥០០	១៧៥០	25
4	៥៧.៥	38	54	៣.២	26	៥០០	2000	28
៤.៧	៥៧.៥	៤២.៥	56	3	25	៤២០	១៩៧៤	30
៥.៦	៥៧.៥	៤២.៥	56	២.៨	24	៤០០	២២៤០	32

វ៉ុល			Un 1200V.DC, Urms550Vac; Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
០.៤៧	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	11	24	១២០០	៥៦៤	10
០.៦៨	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	7	23	១១០០	៧៤៨	12
1	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	6	22	៨០០	៨០០	14
១.៥	៤២.៥	33	45	5	20	៨០០	១២០០	15
2	៥៧.៥	30	45	4	30	៧៥០	១៥០០	20
២.៥	៥៧.៥	35	50	4	28	៧០០	១៧៥០	25
3	៥៧.៥	35	50	4	27	៦០០	1800	25
៣.៣	៥៧.៥	38	54	4	27	៥៥០	១៨១៥	28
៣.៥	៥៧.៥	38	54	៣.៥	25	៥០០	១៧៥០	28
4	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.៥	25	៤៥០	1800	30
៤.៧	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.២	23	៤២០	១៩៧៤	32

វ៉ុល			Un 1700V.DC,Urms575Vac; Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.33	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	12	25	១៣០០	៤២៩	9
០.៤៧	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	10	24	១៣០០	៦១១	10
០.៦៨	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	8	23	១៣០០	៨៨៤	12
1	៤២.៥	33	45	7	22	១២០០	១២០០	15
១.៥	៤២.៥	33	45	6	22	១២០០	1800	18
១.៥	៥៧.៥	30	45	5	31	១២០០	1800	20
2	៥៧.៥	30	45	5	30	១១០០	២២០០	22
២.៥	៥៧.៥	35	50	4	28	១១០០	២៧៥០	25
3	៥៧.៥	38	54	4	27	៧០០	២១០០	25
៣.៣	៥៧.៥	38	54	៣.៨	26	៦០០	ឆ្នាំ 1980	28
៣.៥	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.៥	25	៥០០	១៧៥០	30
4	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.២	25	៤៥០	1800	32

វ៉ុល			Un 2000V.DC, Urms700Vac; Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.22	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	15	25	១៥០០	៣៣០	10
0.33	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	12	24	១៥០០	៤៩៥	12
០.៤៧	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	11	23	១៤០០	៦៥៨	15
០.៦៨	៤២.៥	33	45	8	22	១២០០	៨១៦	18
០.៦៨	៥៧.៥	30	45	7	30	១១០០	៧៤៨	20
០.៨២	៤២.៥	33	45	7	28	១២០០	៩៨៤	22
1	៥៧.៥	30	45	6	28	១១០០	១១០០	25
១.៥	៥៧.៥	35	50	5	25	១០០០	១៥០០	28
2	៥៧.៥	38	54	5	24	៨០០	១៦០០	28
២.២	៥៧.៥	៤២.៥	56	4	23	៧០០	១៥៤០	32

វ៉ុល			Un 3000V.DC,Urms750Vac; Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.15	៤២.៥	33	45	18	28	២៥០០	៣៧៥	25
0.22	៤២.៥	33	45	15	27	២២០០	៤៨៤	28
0.22	៥៧.៥	35	50	15	25	2000	៣៣០	20
0.33	៥៧.៥	35	50	12	24	1800	៤៩៥	20
០.៤៧	៥៧.៥	38	54	11	23	១៦០០	៧៥២	22
០.៦៨	៥៧.៥	៤២.៥	56	8	22	១៥០០	១០២០	28

លក្ខណៈ

1. ផ្លាស្ទិចបិទជិតជាមួយជ័រ;

2. ការបញ្ចូលទង់ដែងដែលស្រោបដោយសំណប៉ាហាំង ការដំឡើងងាយស្រួលសម្រាប់ IGBT;

3. ធន់ទ្រាំទៅនឹងតង់ស្យុងខ្ពស់, tgδទាប, ការកើនឡើងសីតុណ្ហភាពទាប;

4. ESL ទាប និង ESR;

5. ចរន្តជីពចរខ្ពស់។

ដោយប្រើប្រាស់សំណង់ខាងក្នុងដែលមានអាំងឌុចស្យុងទាប ករណីជ័រផ្សិតជាជម្រើស និងការបញ្ចប់តាមបំណង SMJ-P Series ត្រូវបានរចនាឡើងសម្រាប់ការផ្លាស់ប្តូរ IGBTS យ៉ាងឆាប់រហ័ស និងអាចបម្រើជាតម្រងបញ្ចូលប្រេកង់ខ្ពស់នាពេលបច្ចុប្បន្ន។

រូបភាពលម្អិតផលិតផល៖

ការណែនាំអំពីផលិតផលដែលពាក់ព័ន្ធ៖

ការពេញចិត្តរបស់អ្នកទិញគឺជាការផ្តោតសំខាន់របស់យើងទៅលើ។We uphold a consistent level of professionalism, quality, credibility and repair for Excellent quality Polypropylene Film Capacitor - Metalized film IGBT Snubber capacitor – CRE , The product will supply to all over the world, such as: Roman, Tanzania, kazan, We will do របស់យើងជាទីបំផុតក្នុងការសហការ និងពេញចិត្តចំពោះអ្នក ដោយពឹងផ្អែកលើគុណភាពលំដាប់កំពូល និងតម្លៃប្រកួតប្រជែង និងសេវាកម្មក្រោយល្អបំផុត ទន្ទឹងរង់ចាំដោយស្មោះស្ម័គ្រនឹងសហការជាមួយអ្នក និងធ្វើឱ្យសមិទ្ធិផលនាពេលអនាគត!

ធនាគារ Ac Film Capacitor

Capacitor សម្រាប់ Furnace Indution ប្រេកង់មធ្យម

Dc Link Capacitor សម្រាប់រថយន្តដឹកជញ្ជូន

អ្នកផ្គត់ផ្គង់ខ្សែភាពយន្ត Capacitor

Capacitor ខ្សែភាពយន្តដែលដំណើរការខ្ពស់។

ឧបករណ៍បំលែងថាមពលខ្លាំង

គុណភាពខ្ពស់ Dc Link Capacitor

តង់ស្យុងខ្ពស់ Dc Link Capacitor

ឧបករណ៍បំលែងសៀគ្វី Igbt

Mkp Capacitor

បុគ្គលិកបច្ចេកទេសរោងចក្រមិនត្រឹមតែមានកម្រិតបច្ចេកវិជ្ជាខ្ពស់ប៉ុណ្ណោះទេ កម្រិតភាសាអង់គ្លេសរបស់ពួកគេក៏ល្អផងដែរ នេះជាជំនួយដ៏ល្អក្នុងការទំនាក់ទំនងបច្ចេកវិទ្យា។