ការបាត់បង់ទាប dielectric នៃខ្សែភាពយន្ត polypropylene Snubber capacitor សម្រាប់កម្មវិធី IGBT

dielectric ការបាត់បង់ទាបនៃខ្សែភាពយន្ត polypropylene Snubber capacitor សម្រាប់កម្មវិធី IGBT រូបភាពពិសេស

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

ជួរ CRE នៃ IGBT snubber capacitor គឺស្របតាម ROHS និង REACH ។

1. លក្ខណៈធន់នឹងអណ្តាតភ្លើងត្រូវបានធានាជាមួយនឹងការប្រើប្រាស់ស្រោមប្លាស្ទិក និងការបំពេញចុង epoxy ដែលអនុលោមតាម UL94-VO ។

2. រចនាប័ទ្មស្ថានីយ និងទំហំករណីអាចត្រូវបានប្ដូរតាមបំណង។

ផ្ញើអ៊ីមែលមកយើង ទាញយកជា PDF

ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ស្លាកផលិតផល

ស៊េរី SMJ-P

ជួរវ៉ុលដែលបានវាយតម្លៃ: 1000 VDC ដល់ 2000 VDC
ជួរ capacitance: 0.1 uf ទៅ 3.0 uf
ទីលានម៉ោន: 22.5 មមទៅ 48 ម។
សំណង់៖ ការតភ្ជាប់ស៊េរីខាងក្នុងនៃលោហធាតុ Polypropylene Dielectric
កម្មវិធី៖ ការការពារ IGBT, សៀគ្វីរថក្រោះ Resonance

ការព្យាបាលដោយខ្លួនឯង ប្រភេទស្ងួត សារធាតុ capacitor snubber ត្រូវបានផលិតឡើងដោយប្រើទម្រង់ពិសេស ខ្សែលោហៈ PP ដែលកាត់ដោយរលក ដែលធានានូវអាំងឌុចទ័រទាប ភាពធន់នឹងការប្រេះឆាខ្ពស់ និងភាពជឿជាក់ខ្ពស់។ការផ្តាច់សម្ពាធលើសមិនត្រូវបានចាត់ទុកថាចាំបាច់ទេ។ផ្នែកខាងលើរបស់ capacitor ត្រូវបានផ្សាភ្ជាប់ជាមួយនឹង epoxy ដែលមិនប៉ះពាល់ដល់បរិស្ថានដោយខ្លួនឯង។ការរចនាពិសេសធានាបាននូវអាំងឌុចទ័រខ្លួនឯងទាបខ្លាំងណាស់។

តារាងបញ្ជាក់

វ៉ុល	Un 700V.DC,Urms400Vac; Us1050V
	វិមាត្រ (មម)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
០.៤៧	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	12	25	៥០០	២៣៥	8
០.៦៨	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	10	25	៤៨០	៣២៦.៤	10
1	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	8	24	៤៥០	៤៥០	12
១.៥	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	7	25	៤៣០	៦៤៥	5
2	៤២.៥	33	៣៥.៥	6	24	៤២០	៨៤០	15
២.៥	៤២.៥	33	45	6	23	៤០០	១០០០	18
3	៤២.៥	33	45	៥.៥	22	៣៨០	១១៤០	20
3	៥៧.៥	30	45	5	26	៣៥០	១០៥០	22
៣.៥	៤២.៥	33	45	5	23	៣៥០	១២២៥	25
៣.៥	៥៧.៥	30	45	6	25	៣០០	១០៥០	22
៤.៧	៥៧.៥	35	50	5	28	២៨០	១៣១៦	25
៥.៦	៥៧.៥	38	54	4	30	២៥០	១៤០០	25
6	៥៧.៥	38	54	៣.៥	33	២៣០	១៣៨០	28
៦.៨	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.២	32	២២០	១៤៩៦	32
8	៥៧.៥	៤២.៥	56	២.៨	30	២០០	១៦០០	33

វ៉ុល	Un 1000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
	វិមាត្រ (មម)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
០.៤៧	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	11	25	១០០០	៤៧០	10
០.៦៨	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	8	25	៨០០	៥៤៤	12
1	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	6	24	៨០០	៨០០	15
១.៥	៤២.៥	33	45	6	24	៧០០	១០៥០	15
2	៤២.៥	33	45	5	22	៧០០	១៤០០	20
២.៥	៥៧.៥	30	45	5	30	៦០០	១៥០០	22
3	៥៧.៥	35	50	4	30	៦០០	1800	25
៣.៣	៥៧.៥	35	50	៣.៥	28	៥៥០	១៨១៥	25
៣.៥	៥៧.៥	38	54	៣.៥	28	៥០០	១៧៥០	25
4	៥៧.៥	38	54	៣.២	26	៥០០	2000	28
៤.៧	៥៧.៥	៤២.៥	56	3	25	៤២០	១៩៧៤	30
៥.៦	៥៧.៥	៤២.៥	56	២.៨	24	៤០០	២២៤០	32

វ៉ុល	Un 1200V.DC, Urms550Vac; Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
០.៤៧	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	11	24	១២០០	៥៦៤	10
០.៦៨	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	7	23	១១០០	៧៤៨	12
1	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	6	22	៨០០	៨០០	14
១.៥	៤២.៥	33	45	5	20	៨០០	១២០០	15
2	៥៧.៥	30	45	4	30	៧៥០	១៥០០	20
២.៥	៥៧.៥	35	50	4	28	៧០០	១៧៥០	25
3	៥៧.៥	35	50	4	27	៦០០	1800	25
៣.៣	៥៧.៥	38	54	4	27	៥៥០	១៨១៥	28
៣.៥	៥៧.៥	38	54	៣.៥	25	៥០០	១៧៥០	28
4	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.៥	25	៤៥០	1800	30
៤.៧	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.២	23	៤២០	១៩៧៤	32

វ៉ុល	Un 1700V.DC,Urms575Vac; Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.33	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	12	25	១៣០០	៤២៩	9
០.៤៧	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	10	24	១៣០០	៦១១	10
០.៦៨	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	8	23	១៣០០	៨៨៤	12
1	៤២.៥	33	45	7	22	១២០០	១២០០	15
១.៥	៤២.៥	33	45	6	22	១២០០	1800	18
១.៥	៥៧.៥	30	45	5	31	១២០០	1800	20
2	៥៧.៥	30	45	5	30	១១០០	២២០០	22
២.៥	៥៧.៥	35	50	4	28	១១០០	២៧៥០	25
3	៥៧.៥	38	54	4	27	៧០០	២១០០	25
៣.៣	៥៧.៥	38	54	៣.៨	26	៦០០	ឆ្នាំ 1980	28
៣.៥	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.៥	25	៥០០	១៧៥០	30
4	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.២	25	៤៥០	1800	32

វ៉ុល	Un 2000V.DC, Urms700Vac; Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.22	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	15	25	១៥០០	៣៣០	10
0.33	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	12	24	១៥០០	៤៩៥	12
០.៤៧	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	11	23	១៤០០	៦៥៨	15
០.៦៨	៤២.៥	33	45	8	22	១២០០	៨១៦	18
០.៦៨	៥៧.៥	30	45	7	30	១១០០	៧៤៨	20
០.៨២	៤២.៥	33	45	7	28	១២០០	៩៨៤	22
1	៥៧.៥	30	45	6	28	១១០០	១១០០	25
១.៥	៥៧.៥	35	50	5	25	១០០០	១៥០០	28
2	៥៧.៥	38	54	5	24	៨០០	១៦០០	28
២.២	៥៧.៥	៤២.៥	56	4	23	៧០០	១៥៤០	32

វ៉ុល	Un 3000V.DC,Urms750Vac; Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.15	៤២.៥	33	45	18	28	២៥០០	៣៧៥	25
0.22	៤២.៥	33	45	15	27	២២០០	៤៨៤	28
0.22	៥៧.៥	35	50	15	25	2000	៣៣០	20
0.33	៥៧.៥	35	50	12	24	1800	៤៩៥	20
០.៤៧	៥៧.៥	38	54	11	23	១៦០០	៧៥២	22
០.៦៨	៥៧.៥	៤២.៥	56	8	22	១៥០០	១០២០	28