តម្លៃពិសេសសម្រាប់អ្នកផ្គត់ផ្គង់ឧបករណ៍ផ្ទុកថាមពលសកល - ការខាតបង់ទាបនៃសារធាតុឌីអេឡិចត្រិចនៃខ្សែភាពយន្តប៉ូលីភីលីន កុងដុកទ័រ Snubber សម្រាប់កម្មវិធី IGBT – CRE

តម្លៃពិសេសសម្រាប់អ្នកផ្គត់ផ្គង់ឧបករណ៍បំពងសំឡេងសកល - ឧបករណ៍បំពងសំឡេងឌីអេឡិចត្រិចទាបនៃខ្សែភាពយន្តប៉ូលីភីលីន កុងដុកទ័រ Snubber សម្រាប់កម្មវិធី IGBT – រូបភាពពិសេស CRE

ការពិពណ៌នាខ្លី៖

ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ស្លាកផលិតផល

វីដេអូពាក់ព័ន្ធ

មតិប្រតិកម្ម (2)

ឧបករណ៍ដំណើរការល្អ ក្រុមលក់ដែលមានជំនាញវិជ្ជាជីវៈ និងសេវាកម្មក្រោយពេលលក់កាន់តែប្រសើរ។ យើងក៏ជាគ្រួសារធំមួយដែលរួបរួមគ្នាផងដែរ មនុស្សគ្រប់គ្នាប្រកាន់ខ្ជាប់នូវតម្លៃរបស់ក្រុមហ៊ុន "ការបង្រួបបង្រួម ការលះបង់ ការអត់ឱន" សម្រាប់កាប៉ាស៊ីទ័រស្ងួតដែលអាចព្យាបាលដោយខ្លួនឯងបាន , កាប៉ាស៊ីទ័រខ្សែភាពយន្តប៉ូលីប្រូពីលីនលោហធាតុ , ឧបករណ៍បង្ហាប់ខ្យល់ Mkpយើងខ្ញុំទន្ទឹងរង់ចាំស្តាប់ពីលោកអ្នកដោយស្មោះអស់ពីចិត្ត។ សូមផ្តល់ឱកាសឱ្យយើងខ្ញុំបង្ហាញលោកអ្នកពីវិជ្ជាជីវៈ និងភាពរីករាយរបស់យើង។ យើងខ្ញុំសូមស្វាគមន៍យ៉ាងស្មោះអស់ពីចិត្តចំពោះមិត្តភក្តិល្អៗមកពីគ្រប់មជ្ឈដ្ឋានទាំងក្នុងស្រុក និងក្រៅប្រទេសដែលមកសហការ!

តម្លៃពិសេសសម្រាប់អ្នកផ្គត់ផ្គង់ឧបករណ៍ផ្ទុកថាមពលសកល - ឧបករណ៍បំលែងអគ្គិសនីទាបនៃខ្សែភាពយន្ត polypropylene Snubber សម្រាប់កម្មវិធី IGBT - ព័ត៌មានលម្អិត CRE៖

ស៊េរី SMJ-P

ជួរវ៉ុលដែលបានវាយតម្លៃ៖ 1000 VDC ដល់ 2000 VDC
ជួរសមត្ថភាព៖ 0.1 uf ដល់ 3.0 uf
ចម្ងាយដំឡើង៖ ២២.៥ ម.ម ដល់ ៤៨ ម.ម
សំណង់៖ ការតភ្ជាប់ស៊េរីខាងក្នុងឌីអេឡិចត្រិចប៉ូលីប្រូពីលីនលោហធាតុ
កម្មវិធី៖ ការការពារ IGBT សៀគ្វីធុងរំញ័រ

ធាតុកាប៉ាស៊ីទ័រប្រភេទស្ងួត និងអាចព្យាបាលដោយខ្លួនឯងបាន ត្រូវបានផលិតដោយប្រើស្រទាប់ PP លោហៈកាត់រលកដែលមានទម្រង់ពិសេស ដែលធានាបាននូវអាំងឌុចស្យុងទាប ភាពធន់នឹងការបែកខ្ពស់ និងភាពជឿជាក់ខ្ពស់។ ការផ្តាច់សម្ពាធលើសមិនត្រូវបានចាត់ទុកថាចាំបាច់ទេ។ ផ្ទៃកាប៉ាស៊ីទ័រត្រូវបានផ្សាភ្ជាប់ដោយអេប៉ុកស៊ីដែលពន្លត់ដោយខ្លួនឯងដែលមិនប៉ះពាល់ដល់បរិស្ថាន។ ការរចនាពិសេសធានានូវអាំងឌុចស្យុងទាបបំផុត។

IMG_0397.HEIC

តារាងលក្ខណៈបច្ចេកទេស

វ៉ុល	អ៊ុន ៧០០វ៉ុល។ឌីស៊ី,អ៊ុម ៤០០វ៉ុល;អ៊ុន ១០៥០វ៉ុល
	វិមាត្រ (មម)
Cn(μF)	ល(±១)	ធ(±១)	H(±1)	ESR @ 100KHz (mΩ)	អ៊ីអេសអិល (nH)	dv/dt (V/μS)	អ៊ីបខេ (អេ)	Irms @40℃ @100KHz (A)
០,៤៧	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	12	25	៥០០	២៣៥	8
០,៦៨	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	10	25	៤៨០	៣២៦.៤	10
1	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	8	24	៤៥០	៤៥០	12
១.៥	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	7	25	៤៣០	៦៤៥	5
2	៤២.៥	33	៣៥.៥	6	24	៤២០	៨៤០	15
២.៥	៤២.៥	33	45	6	23	៤០០	១០០០	18
3	៤២.៥	33	45	៥.៥	22	៣៨០	១១៤០	20
3	៥៧.៥	30	45	5	26	៣៥០	១០៥០	22
៣.៥	៤២.៥	33	45	5	23	៣៥០	១២២៥	25
៣.៥	៥៧.៥	30	45	6	25	៣០០	១០៥០	22
៤.៧	៥៧.៥	35	50	5	28	២៨០	១៣១៦	25
៥.៦	៥៧.៥	38	54	4	30	២៥០	១៤០០	25
6	៥៧.៥	38	54	៣.៥	33	២៣០	១៣៨០	28
៦.៨	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.២	32	២២០	១៤៩៦	32
8	៥៧.៥	៤២.៥	56	២.៨	30	២០០	១៦០០	33

វ៉ុល	អ៊ុន 1000V។ ឌីស៊ី, អ៊ុម 500Vac; អ៊ុស 1500V
	វិមាត្រ (មម)
Cn(μF)	ល(±១)	ធ(±១)	H(±1)	ESR(mΩ)	អ៊ីអេសអិល (nH)	dv/dt(V/μS)	អ៊ីបខេ (អេ)	អ៊ីមស៍
០,៤៧	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	11	25	១០០០	៤៧០	10
០,៦៨	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	8	25	៨០០	៥៤៤	12
1	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	6	24	៨០០	៨០០	15
១.៥	៤២.៥	33	45	6	24	៧០០	១០៥០	15
2	៤២.៥	33	45	5	22	៧០០	១៤០០	20
២.៥	៥៧.៥	30	45	5	30	៦០០	១៥០០	22
3	៥៧.៥	35	50	4	30	៦០០	១៨០០	25
៣.៣	៥៧.៥	35	50	៣.៥	28	៥៥០	១៨១៥	25
៣.៥	៥៧.៥	38	54	៣.៥	28	៥០០	១៧៥០	25
4	៥៧.៥	38	54	៣.២	26	៥០០	ឆ្នាំ២០០០	28
៤.៧	៥៧.៥	៤២.៥	56	3	25	៤២០	ឆ្នាំ ១៩៧៤	30
៥.៦	៥៧.៥	៤២.៥	56	២.៨	24	៤០០	២២៤០	32

វ៉ុល	អ៊ុន 1200V។ឌីស៊ី,អ៊ុម 550Vac;អ៊ុស 1800V
Cn(μF)	ល(±១)	ធ(±១)	H(±1)	ESR(mΩ)	អ៊ីអេសអិល (nH)	dv/dt(V/μS)	អ៊ីបខេ (អេ)	អ៊ីមស៍
០,៤៧	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	11	24	១២០០	៥៦៤	10
០,៦៨	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	7	23	១១០០	៧៤៨	12
1	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	6	22	៨០០	៨០០	14
១.៥	៤២.៥	33	45	5	20	៨០០	១២០០	15
2	៥៧.៥	30	45	4	30	៧៥០	១៥០០	20
២.៥	៥៧.៥	35	50	4	28	៧០០	១៧៥០	25
3	៥៧.៥	35	50	4	27	៦០០	១៨០០	25
៣.៣	៥៧.៥	38	54	4	27	៥៥០	១៨១៥	28
៣.៥	៥៧.៥	38	54	៣.៥	25	៥០០	១៧៥០	28
4	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.៥	25	៤៥០	១៨០០	30
៤.៧	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.២	23	៤២០	ឆ្នាំ ១៩៧៤	32

វ៉ុល	អ៊ុន 1700V។ឌីស៊ី,អ៊ុម 575Vac;អ៊ុស 2250V
Cn(μF)	ល(±១)	ធ(±១)	H(±1)	ESR(mΩ)	អ៊ីអេសអិល (nH)	dv/dt(V/μS)	អ៊ីបខេ (អេ)	អ៊ីមស៍
០.៣៣	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	12	25	១៣០០	៤២៩	9
០,៤៧	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	10	24	១៣០០	៦១១	10
០,៦៨	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	8	23	១៣០០	៨៨៤	12
1	៤២.៥	33	45	7	22	១២០០	១២០០	15
១.៥	៤២.៥	33	45	6	22	១២០០	១៨០០	18
១.៥	៥៧.៥	30	45	5	31	១២០០	១៨០០	20
2	៥៧.៥	30	45	5	30	១១០០	២២០០	22
២.៥	៥៧.៥	35	50	4	28	១១០០	២៧៥០	25
3	៥៧.៥	38	54	4	27	៧០០	២១០០	25
៣.៣	៥៧.៥	38	54	៣.៨	26	៦០០	ឆ្នាំ ១៩៨០	28
៣.៥	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.៥	25	៥០០	១៧៥០	30
4	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.២	25	៤៥០	១៨០០	32

វ៉ុល	អ៊ុន 2000V។ឌីស៊ី,អ៊ុម 700Vac;អ៊ុស 3000V
Cn(μF)	ល(±១)	ធ(±១)	H(±1)	ESR(mΩ)	អ៊ីអេសអិល (nH)	dv/dt(V/μS)	អ៊ីបខេ (អេ)	អ៊ីមស៍
០.២២	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	15	25	១៥០០	៣៣០	10
០.៣៣	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	12	24	១៥០០	៤៩៥	12
០,៤៧	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	11	23	១៤០០	៦៥៨	15
០,៦៨	៤២.៥	33	45	8	22	១២០០	៨១៦	18
០,៦៨	៥៧.៥	30	45	7	30	១១០០	៧៤៨	20
០,៨២	៤២.៥	33	45	7	28	១២០០	៩៨៤	22
1	៥៧.៥	30	45	6	28	១១០០	១១០០	25
១.៥	៥៧.៥	35	50	5	25	១០០០	១៥០០	28
2	៥៧.៥	38	54	5	24	៨០០	១៦០០	28
២.២	៥៧.៥	៤២.៥	56	4	23	៧០០	១៥៤០	32

វ៉ុល	អ៊ុន 3000V។ឌីស៊ី,អ៊ុម 750Vac;អ៊ុស 4500V
Cn(μF)	ល(±១)	ធ(±១)	H(±1)	ESR(mΩ)	អ៊ីអេសអិល (nH)	dv/dt(V/μS)	អ៊ីបខេ (អេ)	អ៊ីមស៍
០.១៥	៤២.៥	33	45	18	28	២៥០០	៣៧៥	25
០.២២	៤២.៥	33	45	15	27	២២០០	៤៨៤	28
០.២២	៥៧.៥	35	50	15	25	ឆ្នាំ២០០០	៣៣០	20
០.៣៣	៥៧.៥	35	50	12	24	១៨០០	៤៩៥	20
០,៤៧	៥៧.៥	38	54	11	23	១៦០០	៧៥២	22
០,៦៨	៥៧.៥	៤២.៥	56	8	22	១៥០០	១០២០	28

រូបភាពលម្អិតផលិតផល៖

មគ្គុទ្ទេសក៍ផលិតផលពាក់ព័ន្ធ៖

យើងខ្ញុំត្រៀមខ្លួនរួចជាស្រេចដើម្បីចែករំលែកចំណេះដឹងរបស់យើងអំពីការធ្វើទីផ្សារទូទាំងពិភពលោក និងណែនាំផលិតផលសមស្របក្នុងតម្លៃប្រកួតប្រជែងបំផុត។ ដូច្នេះ Profi Tools ផ្តល់ជូនអ្នកនូវតម្លៃល្អបំផុតនៃប្រាក់ ហើយយើងខ្ញុំត្រៀមខ្លួនរួចជាស្រេចដើម្បីអភិវឌ្ឍរួមគ្នាជាមួយនឹងតម្លៃពិសេសសម្រាប់អ្នកផ្គត់ផ្គង់ Capacitor សកល - ការបាត់បង់អគ្គិសនីទាបនៃខ្សែភាពយន្ត polypropylene Snubber capacitor សម្រាប់កម្មវិធី IGBT - CRE ផលិតផលនេះនឹងផ្គត់ផ្គង់ទៅទូទាំងពិភពលោក ដូចជា៖ ស៊ីប ប្រេស៊ីល ប៉ាណាម៉ា។ យើងខ្ញុំស្វាគមន៍អតិថិជនមកពីជុំវិញពិភពលោកមកពិភាក្សាអំពីអាជីវកម្ម។ យើងខ្ញុំផ្គត់ផ្គង់ផលិតផលដែលមានគុណភាពខ្ពស់ តម្លៃសមរម្យ និងសេវាកម្មល្អ។ យើងខ្ញុំសង្ឃឹមថានឹងកសាងទំនាក់ទំនងអាជីវកម្មដោយស្មោះត្រង់ជាមួយអតិថិជនមកពីក្នុងស្រុក និងក្រៅប្រទេស ដោយខិតខំរួមគ្នាដើម្បីថ្ងៃស្អែកដ៏រុងរឿង។

កុងដុកទ័រឌីស៊ីសម្រាប់ឧបករណ៍វេជ្ជសាស្ត្រ

កាប៉ាស៊ីទ័រថាមពលឌីស៊ី

កាប៉ាស៊ីទ័រអេសអេស