តម្លៃលក់ដុំ China Ac Film Capacitor - Metalized film IGBT Snubber capacitor - CRE

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ស្លាកផលិតផល

វីដេអូពាក់ព័ន្ធ

មតិយោបល់ (2)

ជារឿយៗផ្តោតលើអតិថិជន ហើយវាជាគោលដៅចុងក្រោយរបស់យើងក្នុងការក្លាយជាអ្នកផ្តល់សេវាដែលមានកេរ្តិ៍ឈ្មោះ គួរឱ្យទុកចិត្ត និងស្មោះត្រង់បំផុតប៉ុណ្ណោះទេ ប៉ុន្តែក៏ជាដៃគូសម្រាប់អតិថិជនរបស់យើងសម្រាប់ថ្ម Ultracapacitor , ឧបករណ៍បំប្លែងខ្សែភាពយន្ត Esl ទាប , Snubber Capacitor សម្រាប់ Igbt, ឥឡូវនេះយើងមានដំណោះស្រាយនាំមុខចំនួនបួន។ផលិតផលរបស់យើងត្រូវបានលក់យ៉ាងមានប្រសិទ្ធភាពបំផុតមិនត្រឹមតែក្នុងអំឡុងពេលទីផ្សារប្រទេសចិនប៉ុណ្ណោះទេ ប៉ុន្តែថែមទាំងត្រូវបានស្វាគមន៍ក្នុងអំឡុងពេលឧស្សាហកម្មអន្តរជាតិផងដែរ។

តម្លៃលក់ដុំ China Ac Film Capacitor - Metalized film IGBT Snubber capacitor - CRE Detail:

ទិន្នន័យបច្ចេកទេស

ជួរសីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ	សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការអតិបរមា។, កំពូល, អតិបរមា: +105 ℃ សីតុណ្ហភាពប្រភេទខាងលើ: +85 ℃ សីតុណ្ហភាពប្រភេទទាប: -40 ℃
ជួរ capacitance	0.1μF～5.6μF
វ៉ុលដែលបានវាយតម្លៃ	700V.DC ~ 3000V.DC
Cap.tol	± 5%(J); ± 10%(K)
ទប់ទល់នឹងវ៉ុល	1.5Un DC/10S
កត្តារលាយ	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHztgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ភាពធន់នឹងអ៊ីសូឡង់	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (នៅ 20 ℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S)
ទប់ទល់នឹងការធ្វើកូដកម្មបច្ចុប្បន្ន	具体见规格表
ការទប់ស្កាត់អណ្តាតភ្លើង	UL94V-0
អាយុកាល	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
ស្តង់ដារយោង	IEC61071;GB/T17702;

វ៉ុល			Un 700V.DC,Urms400Vac; Us1050V
	វិមាត្រ (មម)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
០.៤៧	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	12	25	៥០០	២៣៥	8
០.៦៨	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	10	25	៤៨០	៣២៦.៤	10
1	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	8	24	៤៥០	៤៥០	12
១.៥	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	7	25	៤៣០	៦៤៥	5
2	៤២.៥	33	៣៥.៥	6	24	៤២០	៨៤០	15
២.៥	៤២.៥	33	45	6	23	៤០០	១០០០	18
3	៤២.៥	33	45	៥.៥	22	៣៨០	១១៤០	20
3	៥៧.៥	30	45	5	26	៣៥០	១០៥០	22
៣.៥	៤២.៥	33	45	5	23	៣៥០	១២២៥	25
៣.៥	៥៧.៥	30	45	6	25	៣០០	១០៥០	22
៤.៧	៥៧.៥	35	50	5	28	២៨០	១៣១៦	25
៥.៦	៥៧.៥	38	54	4	30	២៥០	១៤០០	25
6	៥៧.៥	38	54	៣.៥	33	២៣០	១៣៨០	28
៦.៨	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.២	32	២២០	១៤៩៦	32
8	៥៧.៥	៤២.៥	56	២.៨	30	២០០	១៦០០	33


វ៉ុល			Un 1000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
	វិមាត្រ (មម)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
០.៤៧	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	11	25	១០០០	៤៧០	10
០.៦៨	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	8	25	៨០០	៥៤៤	12
1	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	6	24	៨០០	៨០០	15
១.៥	៤២.៥	33	45	6	24	៧០០	១០៥០	15
2	៤២.៥	33	45	5	22	៧០០	១៤០០	20
២.៥	៥៧.៥	30	45	5	30	៦០០	១៥០០	22
3	៥៧.៥	35	50	4	30	៦០០	1800	25
៣.៣	៥៧.៥	35	50	៣.៥	28	៥៥០	១៨១៥	25
៣.៥	៥៧.៥	38	54	៣.៥	28	៥០០	១៧៥០	25
4	៥៧.៥	38	54	៣.២	26	៥០០	2000	28
៤.៧	៥៧.៥	៤២.៥	56	3	25	៤២០	១៩៧៤	30
៥.៦	៥៧.៥	៤២.៥	56	២.៨	24	៤០០	២២៤០	32

វ៉ុល			Un 1200V.DC, Urms550Vac; Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
០.៤៧	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	11	24	១២០០	៥៦៤	10
០.៦៨	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	7	23	១១០០	៧៤៨	12
1	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	6	22	៨០០	៨០០	14
១.៥	៤២.៥	33	45	5	20	៨០០	១២០០	15
2	៥៧.៥	30	45	4	30	៧៥០	១៥០០	20
២.៥	៥៧.៥	35	50	4	28	៧០០	១៧៥០	25
3	៥៧.៥	35	50	4	27	៦០០	1800	25
៣.៣	៥៧.៥	38	54	4	27	៥៥០	១៨១៥	28
៣.៥	៥៧.៥	38	54	៣.៥	25	៥០០	១៧៥០	28
4	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.៥	25	៤៥០	1800	30
៤.៧	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.២	23	៤២០	១៩៧៤	32

វ៉ុល			Un 1700V.DC,Urms575Vac; Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.33	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	12	25	១៣០០	៤២៩	9
០.៤៧	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	10	24	១៣០០	៦១១	10
០.៦៨	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	8	23	១៣០០	៨៨៤	12
1	៤២.៥	33	45	7	22	១២០០	១២០០	15
១.៥	៤២.៥	33	45	6	22	១២០០	1800	18
១.៥	៥៧.៥	30	45	5	31	១២០០	1800	20
2	៥៧.៥	30	45	5	30	១១០០	២២០០	22
២.៥	៥៧.៥	35	50	4	28	១១០០	២៧៥០	25
3	៥៧.៥	38	54	4	27	៧០០	២១០០	25
៣.៣	៥៧.៥	38	54	៣.៨	26	៦០០	ឆ្នាំ 1980	28
៣.៥	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.៥	25	៥០០	១៧៥០	30
4	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.២	25	៤៥០	1800	32

វ៉ុល			Un 2000V.DC, Urms700Vac; Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.22	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	15	25	១៥០០	៣៣០	10
0.33	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	12	24	១៥០០	៤៩៥	12
០.៤៧	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	11	23	១៤០០	៦៥៨	15
០.៦៨	៤២.៥	33	45	8	22	១២០០	៨១៦	18
០.៦៨	៥៧.៥	30	45	7	30	១១០០	៧៤៨	20
០.៨២	៤២.៥	33	45	7	28	១២០០	៩៨៤	22
1	៥៧.៥	30	45	6	28	១១០០	១១០០	25
១.៥	៥៧.៥	35	50	5	25	១០០០	១៥០០	28
2	៥៧.៥	38	54	5	24	៨០០	១៦០០	28
២.២	៥៧.៥	៤២.៥	56	4	23	៧០០	១៥៤០	32

វ៉ុល			Un 3000V.DC,Urms750Vac; Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.15	៤២.៥	33	45	18	28	២៥០០	៣៧៥	25
0.22	៤២.៥	33	45	15	27	២២០០	៤៨៤	28
0.22	៥៧.៥	35	50	15	25	2000	៣៣០	20
0.33	៥៧.៥	35	50	12	24	1800	៤៩៥	20
០.៤៧	៥៧.៥	38	54	11	23	១៦០០	៧៥២	22
០.៦៨	៥៧.៥	៤២.៥	56	8	22	១៥០០	១០២០	28

លក្ខណៈ

1. ផ្លាស្ទិចបិទជិតជាមួយជ័រ;

2. ការបញ្ចូលទង់ដែងដែលស្រោបដោយសំណប៉ាហាំង ការដំឡើងងាយស្រួលសម្រាប់ IGBT;

3. ធន់ទ្រាំទៅនឹងតង់ស្យុងខ្ពស់, tgδទាប, ការកើនឡើងសីតុណ្ហភាពទាប;

4. ESL ទាប និង ESR;

5. ចរន្តជីពចរខ្ពស់។

ដោយប្រើប្រាស់សំណង់ខាងក្នុងដែលមានអាំងឌុចស្យុងទាប ករណីជ័រផ្សិតជាជម្រើស និងការបញ្ចប់តាមបំណង SMJ-P Series ត្រូវបានរចនាឡើងសម្រាប់ការផ្លាស់ប្តូរ IGBTS យ៉ាងឆាប់រហ័ស និងអាចបម្រើជាតម្រងបញ្ចូលប្រេកង់ខ្ពស់នាពេលបច្ចុប្បន្ន។

រូបភាពលម្អិតផលិតផល៖

ការណែនាំអំពីផលិតផលដែលពាក់ព័ន្ធ៖

យើងនៅជាមួយស្មារតីក្រុមហ៊ុនរបស់យើងនៃ "គុណភាព ការអនុវត្ត ការច្នៃប្រឌិត និងសុចរិតភាព"។We goal to create more value for our clients with our abundant resources, advanced machinery, experienced workers and superb solutions for Wholesale Price China Ac Film Capacitor - Metalized film IGBT Snubber capacitor – CRE , The product will supply to all over the world, such as ៖ អាល់បានី មេកា ម៉ុងហ្គោលី ផលិតផលរបស់យើងទាំងអស់ត្រូវបាននាំចេញទៅកាន់អតិថិជននៅចក្រភពអង់គ្លេស អាល្លឺម៉ង់ បារាំង អេស្ប៉ាញ សហរដ្ឋអាមេរិក កាណាដា អ៊ីរ៉ង់ អ៊ីរ៉ាក់ មជ្ឈិមបូព៌ា និងអាហ្វ្រិក។ផលិតផលរបស់យើងត្រូវបានស្វាគមន៍យ៉ាងល្អដោយអតិថិជនរបស់យើងសម្រាប់គុណភាពខ្ពស់ តម្លៃប្រកួតប្រជែង និងរចនាប័ទ្មអំណោយផលបំផុត។យើងសង្ឃឹមថានឹងបង្កើតទំនាក់ទំនងអាជីវកម្មជាមួយអតិថិជនទាំងអស់ និងនាំមកនូវពណ៌ដ៏ស្រស់ស្អាតបន្ថែមទៀតសម្រាប់ជីវិត។

តម្រង Ac សម្រាប់កម្មវិធី Eps

Capacitor រថយន្តអគ្គិសនី