• ប៊ីប៊ីប៊ី

កាប៉ាស៊ីទ័រ​ថាមពល​ឌីស៊ី​រោងចក្រ​រយៈពេល 18 ឆ្នាំ - កាប៉ាស៊ីទ័រ​ស្នូបប៊ឺរ​អ័ក្ស GTO – CRE

ការពិពណ៌នាខ្លី៖


ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ស្លាកផលិតផល

វីដេអូពាក់ព័ន្ធ

មតិប្រតិកម្ម (2)

គ្រឿងបរិក្ខារដែលបំពាក់យ៉ាងល្អរបស់យើង និងការគ្រប់គ្រងគុណភាពល្អឥតខ្ចោះនៅទូទាំងដំណាក់កាលនៃការផលិត អនុញ្ញាតឱ្យយើងធានានូវការពេញចិត្តរបស់អតិថិជនទាំងស្រុងសម្រាប់ដំណោះស្រាយ​ឧបករណ៍​ផ្ទុក​ថាមពល​អេឡិចត្រូនិក , កុងដង់ស័រ Ev , ឧបករណ៍ផ្ទុកថាមពលក្នុងកម្មវិធីរថយន្តយើងខ្ញុំទន្ទឹងរង់ចាំទទួលការសាកសួររបស់អ្នកក្នុងពេលឆាប់ៗនេះ ហើយសង្ឃឹមថានឹងមានឱកាសធ្វើការជាមួយអ្នកនាពេលអនាគត។ សូមស្វាគមន៍មកកាន់អង្គការរបស់យើងខ្ញុំ
កាប៉ាស៊ីទ័រ​ថាមពល​ឌីស៊ី​រោងចក្រ​រយៈពេល 18 ឆ្នាំ - កាប៉ាស៊ីទ័រ​ស្នូបប៊ឺរ Axial GTO – ព័ត៌មានលម្អិត CRE៖

ទិន្នន័យបច្ចេកទេស

ជួរសីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការអតិបរមា, ខាងលើ, អតិបរមា: + 85℃ សីតុណ្ហភាពប្រភេទខាងលើ: + 85℃ សីតុណ្ហភាពប្រភេទខាងក្រោម: -40℃
ជួរសមត្ថភាព ០.១μF ដល់ ៥.៦μF
វ៉ុលដែលបានវាយតម្លៃ

៦៣០វ៉ុល DC ~ ២០០០វ៉ុល DC

កាពីតូល

±5%(ជូល) ;±10%(ខេ)

ទប់ទល់នឹងវ៉ុល

១.៥អ៊ុន ឌីស៊ី/១០អេស

កត្តារលាយ

tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz

ភាពធន់នឹងអ៊ីសូឡង់

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (នៅសីតុណ្ហភាព 20℃ 100V.DC 60S)

C>0.33μF RS*C≥5000S (នៅសីតុណ្ហភាព 20℃ 100V.DC 60S)

ទប់ទល់នឹងចរន្តឆក់
អាយុកាលរំពឹងទុក

100000h(Un; Θhotspot≤85°C)

ស្តង់ដារយោង

IEC 61071; IEC 61881; GB/T17702

ពាក្យសុំ

១. ឧបករណ៍​បញ្ចូល​ចរន្ត​អគ្គិសនី IGBT។

2. ប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិចថាមពលនៅពេលដែលវ៉ុលកំពូល ការការពារការស្រូបយកចរន្តកំពូល។

គំនូរគ្រោង

 

១

 

 

 

 

កាប៉ាស៊ីទ័រអ័ក្ស SMJ-TE
វ៉ុល វ៉ុលមិន 630V។ ឌីស៊ី; អ៊ុយមស៍ 400Vac; សហរដ្ឋអាមេរិក 945V
សមត្ថភាព (uF) L (មម ± 1) ធ (មម ± 1) កម្ពស់ (មម ± 1) φd (មម) ESR @ 100KHz (mΩ) អ៊ីអេសអិល (nH) dv/dt(V/μS) អ៊ីបខេ (អេ) Irms @25℃ @100KHz (A)
០.២២ 32 ៩.៥ ១៧.៥ ០.៨ 16 23 ៣០០ 66 ៥.៣
០.៣៣ 32 12 20 13 22 ២០០ 66 ៦.៥
០,៤៧ 32 ១៤.៥ ២២.៥ 11 21 ២២០ ១០៣.៤ ៨.៣
០,៦៨ 32 18 26 10 20 ១៨០ ១២២.៤ ៩.៥
37 11 19 8 28 ១៥០ ១៥០ ៧.៦
១.៥ 37 ១៣.៥ ២១.៥ 7 27 ១៥០ ២២៥ ៩.៥
2 37 16 24 ១.២ 6 24 ១៣០ ២៦០ ១០.២
២.៥ 37 18 26 ១.២ ៥.៥ 25 ១២០ ៣០០ ១០.៥
3 37 20 28 ១.២ 5 30 ១១០ ៣៣០ ១០.៨
៣.៣ 37 21 29 ១.២ ៤.៥ 30 ១១០ ៣៦៣ ១១.២
4 57 27 ៣៦.៥ ១.២ ៤.២ 32 ២២០ ៨៨០ ១២.៨
៤.៧ 57 28 ៤០.៥ ១.២ ៣.៨ 32 ២០០ ៩៤០ ១៣.៨
៥.៦ 57 31 ៣៣.៥ ១.២ ៣.៥ 32 ១៨៥ ១០៣៦ ១៣.៥
៦.៨ 37 29 ៤១.៥ ១.២ ២.៥ 28 ១០០ ៦៨០ ១៣.៨
៦.៨ 57 34 ៤៦.៥ ១.២ ២.៨ 30 ១៨០ ១២២៤ ១៤.២

 

វ៉ុល អ៊ុន 1000V.DC;អ៊ុម 500Vac;អ៊ុន 1500V
សមត្ថភាព (uF) L (មម ± 1) ធ (មម ± 1) កម្ពស់ (មម ± 1) φd (មម) ESR @ 100KHz (mΩ) អ៊ីអេសអិល (nH) dv/dt(V/μS) អ៊ីបខេ (អេ) Irms @25℃ @100KHz (A)
០.១៥ 32 10 ១៧.៥ ០.៨ 20 20 ១១០០ ១៦៥ ៥.៥
០.២២ 32 12 20 15 21 ១០០០ ២២០ ៧.៣
០.៣៣ 32 ១៥.៥ 23 13 21 ១០០០ ៣៣០ ៨.៧
០,៤៧ 32 ១៨.៥ 26 ១.២ 10 23 ១០០០ ៤៧០ ១០.៥
០,៤៧ 44 14 22 ១.២ 9 24 ៩០០ ៤២៣ ៩.៥
០,៦៨ 32 20 ៣២.៥ ១.២ 7 25 ៩០០ ៦១២ ១០.៨
០,៦៨ 44 17 25 ១.២ 6 26 ៨០០ ៥៤៤ ១០.២
44 ២១.៥ ២៩.៥ ១.២ ៥.៦ 27 ៩០០ ៩០០ 11
១.៥ 44 26 ៣៥.៥ ១.២ 5 29 ៩០០ ១៣៥០ 12
១.៥ 57 21 29 ១.២ 5 30 ៧០០ ១០៥០ ១២.២
2 44 28 ៤០.៥ ១.២ ៤.៨ 30 ៨០០ ១៦០០ ១៣.២
2 57 24 ៣៣.៥ ១.២ ៤.៨ 32 ៦០០ ១២០០ ១២.៨
២.២ 44 30 ៤២.៥ ១.២ ៤.២ 32 ៦០០ ១៣២០ ១៣.៨
២.២ 57 25 ៣៤.៥ ១.២ ៤.២ 32 ៥០០ ១១០០ ១៣.៥
២.៥ 57 25 38 ១.២ 4 33 ៥០០ ១២៥០ ១៤.២
3 57 28 ៤០.៥ ១.២ ៣.៥ 34 ៤៨០ ១៤៤០ ១៥.៦
៣.៣ 57 ២៩.៥ 42 ១.២ ៣.២ 35 ៤៥០ ១៤៨៥ ១៦.៥
៣.៥ 57 ៣០.៥ 43 ១.២ ៣.២ 35 ៤៥០ ១៥៧៥ ១៧.២
៤.៧ 57 35 ៥០.៥ ១.២ 3 36 ៤២០ ឆ្នាំ ១៩៧៤ ១៧.៨
៥.៦ 57 ៣៨.៥ 65 ១.២ ២.៨ 38 ៤០០ ២២៤០ ១៨.២

 

វ៉ុល វ៉ុល​មិន​ទាន់​កំណត់ 1200V។ វ៉ុល​ឌីស៊ី; វ៉ុល​មិន​កំណត់ 550Vac; វ៉ុល​មិន​កំណត់ 1800V
សមត្ថភាព (uF) L (មម ± 1) ធ (មម ± 1) កម្ពស់ (មម ± 1) φd (មម) ESR @ 100KHz (mΩ) អ៊ីអេសអិល (nH) dv/dt(V/μS) អ៊ីបខេ (អេ) Irms @25℃ @100KHz (A)
០.១ 32 ៨.៥ 16 ០.៨ 20 20 ១៣០០ ១៣០ 6
០.១៥ 32 10 ១៧.៥ 18 20 ១២០០ ១៨០ ៧.៥
០.២២ 32 13 21 15 22 ១២០០ ២៦៤ ៨.៣
០.៣៣ 32 16 24 12 23 ១២០០ ៣៩៦ 9
០,៤៧ 32 ១៧.៥ 30 ១.២ 10 23 ១២០០ ៥៦៤ ៩.៥
០,៤៧ 44 15 23 ១.២ 9 26 ១១០០ ៥១៧ ៩.៨
០,៦៨ 32 ២១.៥ 34 ១.២ 8 25 ១១០០ ៥១៧ 10
០,៦៨ 44 ១៨.៥ ២៦.៥ ១.២ 6 27 ១០០០ ៦៨០ ១១.៧
44 23 31 ១.២ 5 28 ១០០០ ១០០០ ១២.៤
១.៥ 44 ២៦.៥ 39 ១.២ 5 30 ៩៥០ ១៤២៥ ១៣.៥
១.៥ 57 ២២.៥ ៣០.៥ ១.២ 5 29 ៩០០ ១៣៥០ ១២.៦
2 44 29 45 ១.២ 5 30 ៨០០ ១៦០០ ១៤.២
2 57 ២៦.៥ ៣៤.៥ ១.២ ៤.៨ 30 ៧៥០ ១៥០០ ១៣.៨
២.២ 44 31 47 ១.២ ៤.២ 32 ៨០០ ១៧៦០ ១៤.៥
២.២ 57 ២៧.៥ ៣៥.៥ ១.២ ៤.២ 35 ៧០០ ១៥៤០ ១៤.៥
3 57 29 ៤៤.៥ ១.២ ៣.២ 37 ៥០០ ១៥០០ ១៧.២
៣.៣ 57 ៣០.៥ 46 ១.២ ៣.២ 38 ៤៥០ ១៤៨៥ ១៧.៨
៤.៧ 57 38 ៥៣.៥ ១.២ 3 38 ៤២០ ឆ្នាំ ១៩៧៤ ១៨.២

 

វ៉ុល វ៉ុល​មិន​ទាន់​កំណត់ 1700V។ វ៉ុល​ឌីស៊ី; វ៉ុល​មិន​កំណត់ 600V; វ៉ុល​មិន​កំណត់ 2550V
សមត្ថភាព (uF) L (មម ± 1) ធ (មម ± 1) កម្ពស់ (មម ± 1) φd (មម) ESR @ 100KHz (mΩ) អ៊ីអេសអិល (nH) dv/dt(V/μS) អ៊ីបខេ (អេ) Irms @25℃ @100KHz (A)
០.១ 32 ៩.៥ ១៧.៥ ០.៨ 18 25 ១៣០០ ១៣០ ៧.៥
០.១៥ 32 12 20 16 24 ១២០០ ១៨០ ៨.៥
០.២២ 32 15 23 15 24 ១២០០ ២៦៤ ៩.៣
០.៣៣ 32 ១៨.៥ ២៦.៥ 12 22 ១២០០ ៣៩៦ ៩.៩
០.៣៣ 44 ១៣.៥ ២១.៥ ១.២ 12 29 ១១០០ ៣៦៣ ១០.២
០,៤៧ 44 16 24 ១.២ 9 28 ១០០០ ៤៧០ ១១.២
០,៦៨ 44 20 28 ១.២ 8 27 ១០០០ ៦៨០ ១១.៧
44 24 ៣៣.៥ ១.២ ៥.៦ 26 ៩០០ ៩០០ ១២.៤
57 ១៩.៥ ២៧.៥ ១.២ 6 33 ៨៥០ ៨៥០ ១០.៨
១.៥ 44 28 ៤០.៥ ១.២ ៤.៨ 25 ៨០០ ១២០០ ១៣.៥
១.៥ 57 24 32 ១.២ 5 33 ៧៥០ ១១២៥ ១៣.៥
2 44 ៣១.៥ 47 ១.២ ៤.៥ 24 ៧៥០ ១៥០០ ១៤.២
2 57 ២៧.៥ 37 ១.២ ៤.៨ 32 ៦៥០ ១៣០០ ១២.៨
២.២ 44 ៣៣.៥ 49 ១.២ ៤.៥ 34 ៧០០ ១៥៤០ ១៥.៦
២.២ 57 29 40 ១.២ ៤.២ 32 ៦០០ ១៣២០ ១៤.៥
3 57 31 ៤៦.៥ ១.២ 4 30 ៥៦០ ១៦៨០ ១៧.២
៣.៣ 57 33 ៤៨.៥ ១.២ ៣.២ 29 ៥០០ ១៦៥០ ១៧.៦
4 57 37 ៥២.៥ ១.២ 3 28 ៤៥០ ១៨០០ ១៨.២

 

វ៉ុល វ៉ុល​មិន​ទាន់​កំណត់ 2000V។ វ៉ុល​ឌីស៊ី; វ៉ុល​មិន​កំណត់ 700V; វ៉ុល​មិន​កំណត់ 3000V
សមត្ថភាព (uF) L (មម ± 1) ធ (មម ± 1) កម្ពស់ (មម ± 1) φd (មម) ESR @ 100KHz (mΩ) អ៊ីអេសអិល (nH) dv/dt(V/μS) អ៊ីបខេ (អេ) Irms @25℃ @100KHz (A)
០.០៦៨ 32 9 17 ០.៨ 25 23 ១៥០០ ១០២ ៦.៩
០.១ 32 ១១.៥ ១៩.៥ 18 22 ១៥០០ ១៥០ ៨.២
០.១ 37 ១០.៥ ១៨.៥ 18 26 ១៤៥០ ១៤៥ 8
០.២២ 32 ១៧.៥ ២៥.៥ ១.២ 15 21 ១៤០០ ៣០៨ ៩.១
០.២២ 37 16 24 ១.២ 15 25 ១៣០០ ២៨៦ 9
០.៣៣ 37 20 28 ១.២ 12 24 ១២៥០ ៤១២.៥ ៩.៥
០.៣៣ 44 18 26 ១.២ 12 30 ១២០០ ៣៩៦ ១០.២
០,៤៧ 44 ១៩.៥ 32 ១.២ 10 29 ១១០០ ៥១៧ ១២.៤
០,៦៨ 44 24 ៣៦.៥ ១.២ 8 28 ១០០០ ៦៨០ ១៤.២
០,៦៨ 57 ១៨.៥ 31 ១.២ 8 27 ៩០០ ៦១២ ១៤.២
57 ២៣.៥ 36 ១.២ 6 31 ៩៥០ ៩៥០ ១៤.៥
១.៥ 57 ២៩.៥ 42 ១.២ 5 31 ៨៥០ ១២៧៥ ១៤.៥
2 57 33 ៤៨.៥ ១.២ ៤.២ 31 ៧៥០ ១៥០០ ១៦.៥
២.២ 57 35 ៥០.៥ ១.២ 4 30 ៧០០ ១៥៤០ ១៧.៨

 

វ៉ុល វ៉ុល​មិន​ទាន់​កំណត់ 3000V។ វ៉ុល​ឌីស៊ី; វ៉ុល​មិន​ទាន់​កំណត់ 750V; វ៉ុល​មិន​ទាន់​កំណត់ 4500V
សមត្ថភាព (uF) L (មម ± 1) ធ (មម ± 1) កម្ពស់ (មម ± 1) φd (មម) ESR @ 100KHz (mΩ) អ៊ីអេសអិល (nH) dv/dt(V/μS) អ៊ីបខេ (អេ) Irms @25℃ @100KHz (A)
០.០៤៧ 44 ១៣.៥ ២១.៥ 22 20 ឆ្នាំ២០០០ 94 ៨.៥
០.០៦៨ 44 17 25 20 20 ១៨០០ ១២២.៤ ១០.៥
០.១ 44 ២០.៥ ២៨.៥ ១.២ 18 20 ១៥០០ ១៥០ ១២.៤
០.១៥ 44 26 34 ១.២ 16 22 ១៣៥០ ២០២.៥ ១៣.៨
០.២២ 44 29 ៤១.៥ ១.២ ១៤.៥ 22 ១២០០ ២៦៤ ១៤.៥

រូបភាពលម្អិតផលិតផល៖

កាប៉ាស៊ីទ័រថាមពល DC រោងចក្ររយៈពេល 18 ឆ្នាំ - កាប៉ាស៊ីទ័រ Axial GTO snubber – រូបភាពលម្អិត CRE

កាប៉ាស៊ីទ័រថាមពល DC រោងចក្ររយៈពេល 18 ឆ្នាំ - កាប៉ាស៊ីទ័រ Axial GTO snubber – រូបភាពលម្អិត CRE

កាប៉ាស៊ីទ័រថាមពល DC រោងចក្ររយៈពេល 18 ឆ្នាំ - កាប៉ាស៊ីទ័រ Axial GTO snubber – រូបភាពលម្អិត CRE


មគ្គុទ្ទេសក៍ផលិតផលពាក់ព័ន្ធ៖

ដើម្បីបង្កើតតម្លៃបន្ថែមសម្រាប់អតិថិជនគឺជាទស្សនវិជ្ជាសហគ្រាសរបស់យើង។ ការបង្កើនអតិថិជនគឺជាការខិតខំប្រឹងប្រែងរបស់យើងសម្រាប់រយៈពេល 18 ឆ្នាំនៃរោងចក្រផលិតឧបករណ៍ផ្ទុកថាមពល DC - ឧបករណ៍ផ្ទុក Axial GTO snubber - CRE ផលិតផលនេះនឹងផ្គត់ផ្គង់ដល់ទូទាំងពិភពលោក ដូចជា៖ វ៉ាស៊ីនតោន ប៉ាណាម៉ា ញូវយ៉ក។ ផលិតផលរបស់យើងទទួលបានកេរ្តិ៍ឈ្មោះល្អនៅក្នុងប្រទេសពាក់ព័ន្ធនីមួយៗ។ ចាប់តាំងពីការបង្កើតក្រុមហ៊ុនរបស់យើងមក យើងបានទទូចលើការច្នៃប្រឌិតដំណើរការផលិតរបស់យើង រួមជាមួយនឹងវិធីសាស្រ្តគ្រប់គ្រងទំនើបបំផុត ដោយទាក់ទាញទេពកោសល្យមួយចំនួនធំនៅក្នុងឧស្សាហកម្មនេះ។ យើងចាត់ទុកគុណភាពផលិតផលជាចរិតលក្ខណៈសំខាន់បំផុតរបស់យើង។
  • ទំនិញដែលយើងទទួលបាន និងគំរូដែលបុគ្គលិកលក់ដាក់តាំងបង្ហាញមកយើង មានគុណភាពដូចគ្នា វាពិតជាក្រុមហ៊ុនផលិតដែលអាចទុកចិត្តបាន។ ផ្កាយ ៥ ដោយ Meroy មកពី Lahore - 2017.04.08 14:55
    ទំនិញគឺល្អឥតខ្ចោះ ហើយអ្នកគ្រប់គ្រងផ្នែកលក់របស់ក្រុមហ៊ុនមានភាពកក់ក្តៅ យើងនឹងមកក្រុមហ៊ុននេះដើម្បីទិញនៅពេលក្រោយ។ ផ្កាយ ៥ ដោយ Carol មកពីប្រទេស Cyprus - 2017.08.18 11:04

    ផ្ញើសាររបស់អ្នកមកយើង៖

    សរសេរសាររបស់អ្នកនៅទីនេះ ហើយផ្ញើវាមកយើង

    ផ្ញើសាររបស់អ្នកមកយើង៖