ក្រុមហ៊ុនផលិតចិនសម្រាប់ឧបករណ៍បំប្លែង Dc-Link សម្រាប់ការផ្គត់ផ្គង់ថាមពល - ខ្សែភាពយន្តលោហៈធាតុ IGBT Snubber capacitor - CRE

ក្រុមហ៊ុនផលិតរបស់ចិនសម្រាប់ Dc-Link Capacitor សម្រាប់ការផ្គត់ផ្គង់ថាមពល - ខ្សែភាពយន្ត Metalized film IGBT Snubber capacitor - CRE Featured Image

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ស្លាកផលិតផល

វីដេអូពាក់ព័ន្ធ

មតិយោបល់ (2)

យើងដឹងថាយើងរីកចម្រើនបាន លុះត្រាតែយើងអាចធានាបាននូវការប្រកួតប្រជែងតម្លៃរួមរបស់យើង និងគុណភាពដែលមានប្រយោជន៍ក្នុងពេលតែមួយសម្រាប់ប្ដូរតាមបំណង Ac Filter Capacitor , ក្រុមហ៊ុនផ្គត់ផ្គង់កុងទ័រសកល , ឧបករណ៍បំលែងថាមពល DC, យើងផ្តល់តម្លៃចំពោះការសាកសួររបស់អ្នក សម្រាប់ព័ត៌មានលម្អិត សូមទាក់ទងមកយើងខ្ញុំ យើងនឹងឆ្លើយតបអ្នកឱ្យបានឆាប់!

ក្រុមហ៊ុនផលិតចិនសម្រាប់ឧបករណ៍បំប្លែង Dc-Link សម្រាប់ការផ្គត់ផ្គង់ថាមពល - ខ្សែភាពយន្តលោហៈធាតុ IGBT Snubber capacitor - ព័ត៌មានលម្អិត CRE៖

ទិន្នន័យបច្ចេកទេស

ជួរសីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ	សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការអតិបរមា។, កំពូល, អតិបរមា: +105 ℃ សីតុណ្ហភាពប្រភេទខាងលើ: +85 ℃ សីតុណ្ហភាពប្រភេទទាប: -40 ℃
ជួរ capacitance	0.1μF～5.6μF
វ៉ុលដែលបានវាយតម្លៃ	700V.DC ~ 3000V.DC
Cap.tol	± 5%(J); ± 10%(K)
ទប់ទល់នឹងវ៉ុល	1.5Un DC/10S
កត្តារលាយ	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHztgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ភាពធន់នឹងអ៊ីសូឡង់	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (នៅ 20 ℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S)
ទប់ទល់នឹងការធ្វើកូដកម្មបច្ចុប្បន្ន	具体见规格表
ការទប់ស្កាត់អណ្តាតភ្លើង	UL94V-0
អាយុកាល	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
ស្តង់ដារយោង	IEC61071;GB/T17702;

វ៉ុល			Un 700V.DC,Urms400Vac; Us1050V
	វិមាត្រ (មម)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
០.៤៧	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	12	25	៥០០	២៣៥	8
០.៦៨	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	10	25	៤៨០	៣២៦.៤	10
1	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	8	24	៤៥០	៤៥០	12
១.៥	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	7	25	៤៣០	៦៤៥	5
2	៤២.៥	33	៣៥.៥	6	24	៤២០	៨៤០	15
២.៥	៤២.៥	33	45	6	23	៤០០	១០០០	18
3	៤២.៥	33	45	៥.៥	22	៣៨០	១១៤០	20
3	៥៧.៥	30	45	5	26	៣៥០	១០៥០	22
៣.៥	៤២.៥	33	45	5	23	៣៥០	១២២៥	25
៣.៥	៥៧.៥	30	45	6	25	៣០០	១០៥០	22
៤.៧	៥៧.៥	35	50	5	28	២៨០	១៣១៦	25
៥.៦	៥៧.៥	38	54	4	30	២៥០	១៤០០	25
6	៥៧.៥	38	54	៣.៥	33	២៣០	១៣៨០	28
៦.៨	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.២	32	២២០	១៤៩៦	32
8	៥៧.៥	៤២.៥	56	២.៨	30	២០០	១៦០០	33


វ៉ុល			Un 1000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
	វិមាត្រ (មម)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
០.៤៧	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	11	25	១០០០	៤៧០	10
០.៦៨	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	8	25	៨០០	៥៤៤	12
1	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	6	24	៨០០	៨០០	15
១.៥	៤២.៥	33	45	6	24	៧០០	១០៥០	15
2	៤២.៥	33	45	5	22	៧០០	១៤០០	20
២.៥	៥៧.៥	30	45	5	30	៦០០	១៥០០	22
3	៥៧.៥	35	50	4	30	៦០០	1800	25
៣.៣	៥៧.៥	35	50	៣.៥	28	៥៥០	១៨១៥	25
៣.៥	៥៧.៥	38	54	៣.៥	28	៥០០	១៧៥០	25
4	៥៧.៥	38	54	៣.២	26	៥០០	2000	28
៤.៧	៥៧.៥	៤២.៥	56	3	25	៤២០	១៩៧៤	30
៥.៦	៥៧.៥	៤២.៥	56	២.៨	24	៤០០	២២៤០	32

វ៉ុល			Un 1200V.DC, Urms550Vac; Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
០.៤៧	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	11	24	១២០០	៥៦៤	10
០.៦៨	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	7	23	១១០០	៧៤៨	12
1	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	6	22	៨០០	៨០០	14
១.៥	៤២.៥	33	45	5	20	៨០០	១២០០	15
2	៥៧.៥	30	45	4	30	៧៥០	១៥០០	20
២.៥	៥៧.៥	35	50	4	28	៧០០	១៧៥០	25
3	៥៧.៥	35	50	4	27	៦០០	1800	25
៣.៣	៥៧.៥	38	54	4	27	៥៥០	១៨១៥	28
៣.៥	៥៧.៥	38	54	៣.៥	25	៥០០	១៧៥០	28
4	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.៥	25	៤៥០	1800	30
៤.៧	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.២	23	៤២០	១៩៧៤	32

វ៉ុល			Un 1700V.DC,Urms575Vac; Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.33	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	12	25	១៣០០	៤២៩	9
០.៤៧	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	10	24	១៣០០	៦១១	10
០.៦៨	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	8	23	១៣០០	៨៨៤	12
1	៤២.៥	33	45	7	22	១២០០	១២០០	15
១.៥	៤២.៥	33	45	6	22	១២០០	1800	18
១.៥	៥៧.៥	30	45	5	31	១២០០	1800	20
2	៥៧.៥	30	45	5	30	១១០០	២២០០	22
២.៥	៥៧.៥	35	50	4	28	១១០០	២៧៥០	25
3	៥៧.៥	38	54	4	27	៧០០	២១០០	25
៣.៣	៥៧.៥	38	54	៣.៨	26	៦០០	ឆ្នាំ 1980	28
៣.៥	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.៥	25	៥០០	១៧៥០	30
4	៥៧.៥	៤២.៥	56	៣.២	25	៤៥០	1800	32

វ៉ុល			Un 2000V.DC, Urms700Vac; Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.22	៤២.៥	២៤.៥	២៧.៥	15	25	១៥០០	៣៣០	10
0.33	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	12	24	១៥០០	៤៩៥	12
០.៤៧	៤២.៥	៣៣.៥	៣៥.៥	11	23	១៤០០	៦៥៨	15
០.៦៨	៤២.៥	33	45	8	22	១២០០	៨១៦	18
០.៦៨	៥៧.៥	30	45	7	30	១១០០	៧៤៨	20
០.៨២	៤២.៥	33	45	7	28	១២០០	៩៨៤	22
1	៥៧.៥	30	45	6	28	១១០០	១១០០	25
១.៥	៥៧.៥	35	50	5	25	១០០០	១៥០០	28
2	៥៧.៥	38	54	5	24	៨០០	១៦០០	28
២.២	៥៧.៥	៤២.៥	56	4	23	៧០០	១៥៤០	32

វ៉ុល			Un 3000V.DC,Urms750Vac; Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.15	៤២.៥	33	45	18	28	២៥០០	៣៧៥	25
0.22	៤២.៥	33	45	15	27	២២០០	៤៨៤	28
0.22	៥៧.៥	35	50	15	25	2000	៣៣០	20
0.33	៥៧.៥	35	50	12	24	1800	៤៩៥	20
០.៤៧	៥៧.៥	38	54	11	23	១៦០០	៧៥២	22
០.៦៨	៥៧.៥	៤២.៥	56	8	22	១៥០០	១០២០	28

លក្ខណៈ

1. ផ្លាស្ទិចបិទជិតជាមួយជ័រ;

2. ការបញ្ចូលទង់ដែងដែលស្រោបដោយសំណប៉ាហាំង ការដំឡើងងាយស្រួលសម្រាប់ IGBT;

3. ធន់ទ្រាំទៅនឹងតង់ស្យុងខ្ពស់, tgδទាប, ការកើនឡើងសីតុណ្ហភាពទាប;

4. ESL ទាប និង ESR;

5. ចរន្តជីពចរខ្ពស់។

ដោយប្រើប្រាស់សំណង់ខាងក្នុងដែលមានអាំងឌុចស្យុងទាប ករណីជ័រផ្សិតជាជម្រើស និងការបញ្ចប់តាមតម្រូវការ SMJ-P Series ត្រូវបានរចនាឡើងសម្រាប់ការផ្លាស់ប្តូរ IGBTS យ៉ាងឆាប់រហ័ស និងអាចបម្រើជាតម្រងបញ្ចូលប្រេកង់ខ្ពស់នាពេលបច្ចុប្បន្ន។

រូបភាពលម្អិតផលិតផល៖

ការណែនាំអំពីផលិតផលដែលពាក់ព័ន្ធ៖

យើងមានបុគ្គលិកឆ្នើមជាច្រើននាក់ដែលពូកែខាងទីផ្សារ QC និងដោះស្រាយជាមួយប្រភេទនៃបញ្ហាដែលមានបញ្ហានៅក្នុងដំណើរការផលិតសម្រាប់ប្រទេសចិន ក្រុមហ៊ុនផលិតសម្រាប់ Dc-Link Capacitor For Power Supplies - Metalized film IGBT Snubber capacitor – CRE , The product will supply to all over ពិភពលោកដូចជា៖ Johor, Macedonia, Sri Lanka, ប្រសិនបើអ្នកមានហេតុផលណាមួយមិនប្រាកដថាត្រូវជ្រើសរើសផលិតផលមួយណា សូមកុំស្ទាក់ស្ទើរក្នុងការទាក់ទងមកយើង ហើយយើងនឹងរីករាយក្នុងការផ្តល់យោបល់ និងជួយអ្នក។វិធីនេះយើងនឹងផ្តល់ឱ្យអ្នកនូវចំណេះដឹងទាំងអស់ដែលត្រូវការដើម្បីធ្វើការជ្រើសរើសដ៏ល្អបំផុត។ក្រុមហ៊ុនរបស់យើងអនុវត្តតាមយ៉ាងតឹងរឹង "រស់ដោយគុណភាពល្អ អភិវឌ្ឍន៍ដោយរក្សាឥណទានល្អ។" គោលការណ៍ប្រតិបត្តិការ។សូមស្វាគមន៍អតិថិជនចាស់ និងថ្មីទាំងអស់ មកកាន់ក្រុមហ៊ុនយើងខ្ញុំ និងពិភាក្សាអំពីអាជីវកម្ម។យើងបានស្វែងរកអតិថិជនកាន់តែច្រើនឡើងដើម្បីបង្កើតអនាគតដ៏រុងរឿង។

Axial Snubber Film Capacitor