Polypropylene Snubber Capacitors ប្រើក្នុងកម្មវិធីតង់ស្យុងខ្ពស់ ចរន្តខ្ពស់ និងជីពចរខ្ពស់។

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

Axial Snubber capacitor SMJ-TE

Snubber Capacitors គឺជា capacitors ប្រេកង់ខ្ពស់ដែលមានចរន្តខ្ពស់ជាមួយនឹងស្ថានីយអ័ក្ស។Axial Film Capacitors មាននៅ CRE។យើងផ្តល់ជូននូវសារពើភ័ណ្ឌ តម្លៃ និងតារាងទិន្នន័យសម្រាប់ Axial Film Capacitors ។

1. ISO9001 និង UL បញ្ជាក់;

2. សារពើភ័ណ្ឌទូលំទូលាយ;

ផ្ញើអ៊ីមែលមកយើង ទាញយកជា PDF

ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ស្លាកផលិតផល

ទិន្នន័យបច្ចេកទេស

ជួរសីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ	សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការអតិបរមា។, កំពូល, អតិបរមា: + 85 ℃ សីតុណ្ហភាពប្រភេទខាងលើ: +85 ℃ សីតុណ្ហភាពប្រភេទទាប: -40 ℃
ជួរ capacitance	0.1μF～5.6μF
វ៉ុលដែលបានវាយតម្លៃ	630V.DC ~ 2000V.DC
Cap.tol	± 5%(J); ± 10%(K)
ទប់ទល់នឹងវ៉ុល	1.5Un DC/10S
កត្តារលាយ	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ភាពធន់នឹងអ៊ីសូឡង់	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (នៅ 20 ℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (នៅ 20℃ 100V.DC 60S)
ទប់ទល់នឹងការធ្វើកូដកម្មបច្ចុប្បន្ន
អាយុកាល	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
ស្តង់ដារយោង	IEC 61071; IEC 61881; GB/T17702

ការដាក់ពាក្យ

1. IGBT Snubber, GTO snubber

2. មុខងារជាមូលដ្ឋាននៃ snubber គឺដើម្បីស្រូបយកថាមពលពី reactances នៅក្នុងសៀគ្វីថាមពល។

3. វាត្រូវបានគេប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកថាមពលនៅពេលដែលវ៉ុលកំពូលការការពារការស្រូបយកចរន្តកំពូល។

គំនូរគ្រោង

SMJ-TE Axial Capacitor
វ៉ុល		Un630V.DC;Urms400Vac; Us 945V
សមត្ថភាព (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (មម)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25 ℃ @ 100KHz (A)
0.22	32	៩.៥	១៧.៥	០.៨	16	23	៣០០	66	៥.៣
0.33	32	12	20	1	13	22	២០០	66	៦.៥
០.៤៧	32	១៤.៥	២២.៥	1	11	21	២២០	១០៣.៤	៨.៣
០.៦៨	32	18	26	1	10	20	១៨០	១២២.៤	៩.៥
1	37	11	19	1	8	28	១៥០	១៥០	៧.៦
១.៥	37	១៣.៥	២១.៥	1	7	27	១៥០	២២៥	៩.៥
2	37	16	24	១.២	6	24	១៣០	២៦០	១០.២
២.៥	37	18	26	១.២	៥.៥	25	១២០	៣០០	១០.៥
3	37	20	28	១.២	5	30	១១០	៣៣០	១០.៨
៣.៣	37	21	29	១.២	៤.៥	30	១១០	៣៦៣	១១.២
4	57	27	៣៦.៥	១.២	៤.២	32	២២០	៨៨០	១២.៨
៤.៧	57	28	៤០.៥	១.២	៣.៨	32	២០០	៩៤០	១៣.៨
៥.៦	57	31	៣៣.៥	១.២	៣.៥	32	១៨៥	១០៣៦	១៣.៥
៦.៨	37	29	៤១.៥	១.២	២.៥	28	១០០	៦៨០	១៣.៨
៦.៨	57	34	៤៦.៥	១.២	២.៨	30	១៨០	១២២៤	១៤.២
វ៉ុល		Un 1000V.DC; Urms 500Vac; Us 1500V
សមត្ថភាព (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (មម)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25 ℃ @ 100KHz (A)
0.15	32	10	១៧.៥	០.៨	20	20	១១០០	១៦៥	៥.៥
0.22	32	12	20	1	15	21	១០០០	២២០	៧.៣
0.33	32	១៥.៥	23	1	13	21	១០០០	៣៣០	៨.៧
០.៤៧	32	១៨.៥	26	១.២	10	23	១០០០	៤៧០	១០.៥
០.៤៧	44	14	22	១.២	9	24	៩០០	៤២៣	៩.៥
០.៦៨	32	20	៣២.៥	១.២	7	25	៩០០	៦១២	១០.៨
០.៦៨	44	17	25	១.២	6	26	៨០០	៥៤៤	១០.២
1	44	២១.៥	២៩.៥	១.២	៥.៦	27	៩០០	៩០០	11
១.៥	44	26	៣៥.៥	១.២	5	29	៩០០	១៣៥០	12
១.៥	57	21	29	១.២	5	30	៧០០	១០៥០	១២.២
2	44	28	៤០.៥	១.២	៤.៨	30	៨០០	១៦០០	១៣.២
2	57	24	៣៣.៥	១.២	៤.៨	32	៦០០	១២០០	១២.៨
២.២	44	30	៤២.៥	១.២	៤.២	32	៦០០	១៣២០	១៣.៨
២.២	57	25	៣៤.៥	១.២	៤.២	32	៥០០	១១០០	១៣.៥
២.៥	57	25	38	១.២	4	33	៥០០	១២៥០	១៤.២
3	57	28	៤០.៥	១.២	៣.៥	34	៤៨០	១៤៤០	១៥.៦
៣.៣	57	២៩.៥	42	១.២	៣.២	35	៤៥០	១៤៨៥	១៦.៥
៣.៥	57	៣០.៥	43	១.២	៣.២	35	៤៥០	១៥៧៥	១៧.២
៤.៧	57	35	៥០.៥	១.២	3	36	៤២០	១៩៧៤	១៧.៨
៥.៦	57	៣៨.៥	65	១.២	២.៨	38	៤០០	២២៤០	១៨.២
វ៉ុល		Un 1200V.DC; Urms 550Vac; Us 1800V
សមត្ថភាព (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (មម)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25 ℃ @ 100KHz (A)
០.១	32	៨.៥	16	០.៨	20	20	១៣០០	១៣០	6
0.15	32	10	១៧.៥	1	18	20	១២០០	១៨០	៧.៥
0.22	32	13	21	1	15	22	១២០០	២៦៤	៨.៣
0.33	32	16	24	1	12	23	១២០០	៣៩៦	9
០.៤៧	32	១៧.៥	30	១.២	10	23	១២០០	៥៦៤	៩.៥
០.៤៧	44	15	23	១.២	9	26	១១០០	៥១៧	៩.៨
០.៦៨	32	២១.៥	34	១.២	8	25	១១០០	៥១៧	10
០.៦៨	44	១៨.៥	២៦.៥	១.២	6	27	១០០០	៦៨០	១១.៧
1	44	23	31	១.២	5	28	១០០០	១០០០	១២.៤
១.៥	44	២៦.៥	39	១.២	5	30	៩៥០	១៤២៥	១៣.៥
១.៥	57	២២.៥	៣០.៥	១.២	5	29	៩០០	១៣៥០	១២.៦
2	44	29	45	១.២	5	30	៨០០	១៦០០	១៤.២
2	57	២៦.៥	៣៤.៥	១.២	៤.៨	30	៧៥០	១៥០០	១៣.៨
២.២	44	31	47	១.២	៤.២	32	៨០០	១៧៦០	១៤.៥
២.២	57	២៧.៥	៣៥.៥	១.២	៤.២	35	៧០០	១៥៤០	១៤.៥
3	57	29	៤៤.៥	១.២	៣.២	37	៥០០	១៥០០	១៧.២
៣.៣	57	៣០.៥	46	១.២	៣.២	38	៤៥០	១៤៨៥	១៧.៨
៤.៧	57	38	៥៣.៥	១.២	3	38	៤២០	១៩៧៤	១៨.២
វ៉ុល		Un 1700V.DC; Urms 600Vac; Us 2550V
សមត្ថភាព (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (មម)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25 ℃ @ 100KHz (A)
០.១	32	៩.៥	១៧.៥	០.៨	18	25	១៣០០	១៣០	៧.៥
0.15	32	12	20	1	16	24	១២០០	១៨០	៨.៥
0.22	32	15	23	1	15	24	១២០០	២៦៤	៩.៣
0.33	32	១៨.៥	២៦.៥	1	12	22	១២០០	៣៩៦	៩.៩
0.33	44	១៣.៥	២១.៥	១.២	12	29	១១០០	៣៦៣	១០.២
០.៤៧	44	16	24	១.២	9	28	១០០០	៤៧០	១១.២
០.៦៨	44	20	28	១.២	8	27	១០០០	៦៨០	១១.៧
1	44	24	៣៣.៥	១.២	៥.៦	26	៩០០	៩០០	១២.៤
1	57	១៩.៥	២៧.៥	១.២	6	33	៨៥០	៨៥០	១០.៨
១.៥	44	28	៤០.៥	១.២	៤.៨	25	៨០០	១២០០	១៣.៥
១.៥	57	24	32	១.២	5	33	៧៥០	១១២៥	១៣.៥
2	44	៣១.៥	47	១.២	៤.៥	24	៧៥០	១៥០០	១៤.២
2	57	២៧.៥	37	១.២	៤.៨	32	៦៥០	១៣០០	១២.៨
២.២	44	៣៣.៥	49	១.២	៤.៥	34	៧០០	១៥៤០	១៥.៦
២.២	57	29	40	១.២	៤.២	32	៦០០	១៣២០	១៤.៥
3	57	31	៤៦.៥	១.២	4	30	៥៦០	១៦៨០	១៧.២
៣.៣	57	33	៤៨.៥	១.២	៣.២	29	៥០០	១៦៥០	១៧.៦
4	57	37	៥២.៥	១.២	3	28	៤៥០	1800	១៨.២
វ៉ុល		Un 2000V.DC; Urms 700Vac; Us 3000V
សមត្ថភាព (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (មម)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25 ℃ @ 100KHz (A)
០.០៦៨	32	9	17	០.៨	25	23	១៥០០	១០២	៦.៩
០.១	32	១១.៥	១៩.៥	1	18	22	១៥០០	១៥០	៨.២
០.១	37	១០.៥	១៨.៥	1	18	26	១៤៥០	១៤៥	8
0.22	32	១៧.៥	២៥.៥	១.២	15	21	១៤០០	៣០៨	៩.១
0.22	37	16	24	១.២	15	25	១៣០០	២៨៦	9
0.33	37	20	28	១.២	12	24	១២៥០	៤១២.៥	៩.៥
0.33	44	18	26	១.២	12	30	១២០០	៣៩៦	១០.២
០.៤៧	44	១៩.៥	32	១.២	10	29	១១០០	៥១៧	១២.៤
០.៦៨	44	24	៣៦.៥	១.២	8	28	១០០០	៦៨០	១៤.២
០.៦៨	57	១៨.៥	31	១.២	8	27	៩០០	៦១២	១៤.២
1	57	២៣.៥	36	១.២	6	31	៩៥០	៩៥០	១៤.៥
១.៥	57	២៩.៥	42	១.២	5	31	៨៥០	១២៧៥	១៤.៥
2	57	33	៤៨.៥	១.២	៤.២	31	៧៥០	១៥០០	១៦.៥
២.២	57	35	៥០.៥	១.២	4	30	៧០០	១៥៤០	១៧.៨
វ៉ុល		Un 3000V.DC; Urms 750Vac; Us 4500V
សមត្ថភាព (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (មម)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25 ℃ @ 100KHz (A)
០.០៤៧	44	១៣.៥	២១.៥	1	22	20	2000	94	៨.៥
០.០៦៨	44	17	25	1	20	20	1800	១២២.៤	១០.៥
០.១	44	២០.៥	២៨.៥	១.២	18	20	១៥០០	១៥០	១២.៤
0.15	44	26	34	១.២	16	22	១៣៥០	២០២.៥	១៣.៨
0.22	44	29	៤១.៥	១.២	១៤.៥	22	១២០០	២៦៤	១៤.៥